[发明专利]一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：

所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。

2.如权利要求1所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：两个所述电极的材料均为惰性金属。

3.如权利要求2所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述电极的材料为Au或Pt，厚度为50nm～200nm。

4.如权利要求1-3任一项所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述功能层的厚度为10nm～500nm。

5.如权利要求4所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述功能层的材料包括Cu_2-xS、Cu_2-xSe、CuBr、CuI、Cu₅FeS₄、Cu₇PSe₆、CuCrSe₂、Cu₈CeSe₆、CuAgSe、CuInP₂S₆、Ag_2-xS、Ag_2-xSe、Ag_2-xTe、AgBr、AgI、Ag₃SBr、Ag₃SI、KAg₃Se₂、Ag₈SnSe₆、AgCrSe₂及Ag₉GaSe₆中的任一种或者多种，0x≤1。

6.如权利要求5所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：Cu_2-xS、Cu_2-xSe、CuBr、CuI、Cu₅FeS₄、Cu₇PSe₆、CuCrSe₂、Cu₈CeSe₆、CuAgSe、CuInP₂S₆的本征迁移离子为Cu⁺，Ag_2-xS、Ag_2-xSe、Ag_2-xTe、AgBr、AgI、Ag₃SBr、Ag₃SI、KAg₃Se₂、Ag₈SnSe₆、AgCrSe₂、Ag₉GaSe₆的本征迁移离子为Ag⁺。

7.如权利要求1-3任一项所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述功能层为二维Cu₉S₅单晶纳米片，两端电极的材料为Cr/Au，衬底的材料为Si/SiO₂。

8.一种基于本征离子导通机理的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述方法用于制备权利要求1-7任一项所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其中，两端电极与功能层之间沉积有10nm厚的Cr。