[发明专利]PDE太赫兹发射源及发射方法

权利要求书

1.一种PDE太赫兹发射源，其特征在于，包括：

激光源，用于产生特定偏振的飞秒激光；

转换部，用于将飞秒激光转换产生太赫兹辐射；

发射支架，用于调节与放置所述转换部；

其中，所述转换部包括基底，所述基底的一侧覆盖有至少一层具有中心反演对称性的拓扑半金属纳米薄膜层。

2.根据权利要求1所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述发射支架包括底座和旋转部，所述转换部与所述旋转部连接，转动所述旋转部以改变所述飞秒激光照射到所述拓扑半金属纳米薄膜层的入射角。

3.根据权利要求1所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述激光源包括：

飞秒脉冲激光器，用于产生飞秒激光光束；

偏振调节器，位于所述飞秒脉冲激光器和所述转换部之间，用于调节所述飞秒激光光束的偏振状态。

4.根据权利要求2或3所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述转换部还包括固定台，连接臂以及纳米级覆盖层，其中，所述基底与所述连接臂固定连接，并通过所述连接臂固定于所述固定台，所述纳米级覆盖层位于所述拓扑半金属纳米薄膜层远离所述基底的一侧表面。

5.根据权利要求4所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述固定台与所述转换部连接。

6.根据权利要求1所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述基底的材质包括玻璃、石英、蓝宝石、氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化锗、氧化镧、氧化锡或硅。

7.根据权利要求1所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述基底覆盖有拓扑半金属纳米薄膜层的表面和另一侧相对的表面均为抛光面。

8.根据权利要求2所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述转换部可调节所述激光源与所述拓扑半金属纳米薄膜层之间的入射角范围为-90°到+90°。

9.根据权利要求1所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述拓扑半金属纳米薄膜层的材料包括二硒化铂(PtSe₂)、二硒化钯(PdSe₂)、砷化镉(Cd₃As₂)、二碲化镍(NiTe₂)、五碲化锆(ZrTe₅)、五碲化铪(HfTe₅)、铋化三钠(Na₃Bi)、三碘化铪(HfI₃)、锡化三锰(Mn₃Sn)、二氧化铋(BiO₂)、铋化镧(LaBi)、钴锡硫(Co₃Sn₂S₂)、锆硅硫(ZrSiS)、二磷化钙(Ca₃P₂)、钴锰镓(Co₂MnGa)、铋碲硒(Bi₂Te₂Se)材料中的至少一个。

10.根据权利要求4所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述纳米级覆盖层的材料包括三氧化二铝、氧化镁和二氧化硅中的至少一个。

11.根据权利要求3所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述飞秒激光的波长为400nm～9000nm，脉宽为10fs～150fs。

12.根据权利要求11所述的PDE太赫兹发射源，其特征在于，所述偏振调节器为与飞秒激光波长匹配的波片。