[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板在审
申请号: | 202310286705.3 | 申请日: | 2023-03-22 |
公开(公告)号: | CN116581127A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 张雪峰;王腾雨;赵栋;王志文;赵晶晶;冯士振 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括像素单元,所述像素单元包括多个子像素,每个所述子像素的驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层和栅极,所述有源层包括沟道区,同一所述像素单元中至少两个子像素的耦合面积不同,所述耦合面积为所述栅极在所述有源层上的正投影与所述沟道区的重叠面积。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,同一像素单元中蓝色子像素的所述耦合面积最小。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,
同一所述像素单元中至少两个子像素的沟道区的宽度不同;或者,同一所述像素单元中至少两个子像素的沟道区的长度不同。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,
同一所述像素单元中至少两个子像素的栅极的宽度不同;或者,同一所述像素单元中至少两个子像素的栅极的长度不同。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,同一像素单元中红色子像素的沟道区的宽度大于绿色子像素的沟道区的宽度,绿色子像素的沟道区的宽度大于蓝色子像素的沟道区的宽度;或
所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,同一像素单元中红色子像素的栅极的长度大于绿色子像素的栅极的长度,绿色子像素的栅极的长度大于蓝色子像素的栅极的长度。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的发光寿命比例关系为:1:x:y,则
b=a-0.1μm*(1-x)/z;
c=a-0.1μm*(1-y)/z;
a为红色子像素的沟道区的宽度,b为绿色子像素的沟道区的宽度,c为蓝色子像素的沟道区的宽度,z为沟道区线宽变化0.1μm对应的电流衰退比例。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述有源层还包括源极接触区和漏极接触区,同一所述像素单元中至少两个子像素的源极接触区和漏极接触区相同。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述薄膜晶体管为开关薄膜晶体管或驱动薄膜晶体管。
9.一种显示面板,其特征在于,包括发光器件和如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底;
在衬底上形成有源层;
在所述有源层上形成栅极绝缘层和栅极,使得同一像素单元中至少两个子像素的耦合面积不同,所述耦合面积为所述栅极在所述有源层上的正投影与所述沟道区的重叠面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的