[发明专利]碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法

权利要求书

1.一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：

利用发光光源模块产生光束；

利用监测反馈模块实时监测所述发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至所述发光光源模块；

将所述发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果，所述第一阶段对应的电学测试结果包括将所述发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果；

将多个阶段对应的所述电学测试结果输入至前置数据转换器中，整合成缺陷表征数据库；其中，在所述电学测量模块中完成第一阶段测量后，根据所述监测反馈模块反馈的光束的波长和强度，调节发光光源模块的光源功率，以实现循环测量，随后将得到的所述电学测量结果更新至所述缺陷表征数据库中；

将所述缺陷表征数据库中的所述电学测量结果进行对比分析，确定目标缺陷表征结果。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，利用发光光源模块产生光束，包括：

以最小光源功率运行第一程序，实现扫描单色仪对光源产生的连续光谱进行调节，以实现对指定波长的光束的发射；

运行第二程序，利用快门控制所述扫描单色仪传输的光束的通断和通断时长，以实现对指定波长的光束进行选择、以及对所述碳纳米管薄膜晶体管的照射时间的调控。

3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，将所述发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射所述碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果，包括：

开启快门，将所述发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射所述碳纳米管薄膜晶体管，并同时记录一组电学测试结果；

关闭快门，直至记录的所述电学测试结果恢复至初始状态；其中，所述初始状态对应为未光照所述碳纳米管薄膜晶体管之前记录的所述电学测试结果；

开启快门，将所述发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射所述碳纳米管薄膜晶体管，并同时记录另一组电学测试结果；

关闭快门，直至记录的所述电学测试结果恢复至初始状态碳纳米管薄膜晶体管；

多次循环开关快门，直至完成指定波长的光束对所述碳纳米管薄膜晶体管的照射。

4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述电学测量模块中完成第一阶段测量后，根据所述监测反馈模块反馈的光束的波长和强度，调节发光光源模块的光源功率，以实现循环测量，随后将该测量结果更新至所述缺陷表征数据库中，包括：

根据所述光源种类，确定光源功率的最小值以及所述光源功率的变化范围；

将所述光源功率的变化范围划分为多个档位；

在完成第一阶段测量后，根据所述监测反馈模块反馈的光束的波长和强度，调节至下一个档位的光源功率，以实现循环测量；

将每次测得的所述电学测量结果更新至所述缺陷表征数据库中。

5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，将所述缺陷表征数据库中的所述电学测量结果进行对比分析，确定目标缺陷表征结果，包括：

将每个阶段对应的所述电学测量结果拟合为一条曲线；

将各阶段对应的所述电学测量结果的多条拟合曲线进行对比分析，确定目标缺陷表征结果；

其中，所述电学测试结果通过光电流形式表示。