[发明专利]一种锡终端半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310288934.9 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116334711A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李奉南;王宏兴;马飞;何适 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/54;C25D3/30;C25D5/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 钱宇婧 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 终端 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，对半导体材料表面进行等离子体氢化处理，获得氢终端半导体材料；
步骤2，将氢终端半导体材料固定在金属电极上，置于电解液中，所述电解液中含有锡离子，电解进行锡化处理，获得锡终端半导体材料。
2.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述等离子体氢化处理的方法为射频与微波等离子体氢化、射流等离子体氢化、高压脉冲等离子体氢化或辉光放电等离子体氢化。
3.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，电解液为锡的可溶性离子化合物。
4.根据权利要求3所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，所述锡的可溶性离子化合物为氯化锡、氯化亚锡、溴化锡、溴化亚锡、氢氧化锡、硝酸亚锡或硫酸亚锡。
5.根据权利要求3所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述电解液为将锡的可溶性离子化合物溶液添加进水中获得，其中锡的可溶性离子化合物中锡离子的浓度为1mg/mL，水含量为100mL。
6.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，电解过程施加直流电。
7.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，电压为100～1000V，电流为10～50mA。
8.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2后，还包括清洗过程。
9.根据权利要求8所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，清洗过程为将锡终端半导体材料依次经过去离子水、有机溶剂、酸溶液和碱溶液清洗。
10.一种通过权利要求1-9任一项制备方法制得的锡终端半导体材料。
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