[发明专利]一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管

权利要求书

1.一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。

2.根据权利要求1所述的一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，

基于对非活性区域上方的绝缘介质层的厚度的控制实现抗反射功能从而使所述绝缘介质层作为所述抗反射涂层；所述抗反射涂层的材料为氧化物、氮化物或硅氧化物。

3.根据权利要求1所述的一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，

所述非活性区域上方设置有若干个绝缘介质层；

若干个所述绝缘介质层中的一个基于所用材料以满足作为抗反射涂层的目的确定厚度。

4.根据权利要求3所述的一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，

若干个所述绝缘介质层中远离所述非活性区域的一个设置为抗反射涂层。

5.根据权利要求1所述的一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，

所述活性区域上方同样设置有抗反射涂层；所述非活性区域的抗反射涂层和所述活性区域的抗反射涂层为同种材料同时生长获得。

6.一种改善APD响应度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的所述第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成P型层；

步骤2：在所述第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法将所述第二绝缘介质层中间刻蚀掉；

步骤3：在所述第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法对P型层上方的所述第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，所述第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。

7.根据权利要求6所述的一种改善APD响应度均匀性的方法，其特征在于，

所述第三绝缘介质层为SiNx抗反射涂层，厚度为100-500nm。

8.根据权利要求2所述的一种改善APD响应度均匀性的方法，其特征在于，

所述SiNx抗反射涂层的生长方式为PECVD或ICP-PECVD。

9.一种改善APD响应度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在盖帽层上加工制备若干个绝缘介质层；其中，若干个所述绝缘介质层中远离所述盖帽层的一个覆盖非活性区域并被设置为抗反射涂层。

10.一种改善APD响应度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：提供InP衬底，之后依次向上生长N型InP缓冲层、非故意掺杂N型InGaAs吸收层、N型InP电荷层、非故意掺杂InP盖帽层；

步骤2：在所述非故意掺杂InP盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的所述第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由所述非故意掺杂InP盖帽层上表面向下扩散形成P型层；

步骤3：在所述第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法将所述第二绝缘介质层中间刻蚀掉；

步骤4：在所述第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法对P型层上方的所述第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，所述第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。

步骤5：在所述第三绝缘介质层上生长P型电极，所述P型电极通过接触孔与P型层形成欧姆接触；对衬底背面进行减薄最后蒸镀N型电极。