[发明专利]外延生长检测方法在审

专利信息
申请号: 202310291626.1 申请日: 2023-03-22
公开(公告)号: CN116288689A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光 申请(专利权)人: 广东天域半导体股份有限公司
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;G01D21/02;C30B25/16;C30B29/36
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 龙莉苹
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 外延 生长 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种外延生长检测方法,其特征在于:

提供一衬底托盘,所述衬底托盘上具有主容置槽和副容置槽;

所述生长检测方法包括:

步骤1,将生长衬底放置在所述主容置槽,将参考衬底放置于所述副容置槽;

步骤2,控制所述衬底托盘匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层,以使所述生长衬底上形成外延层的同时,所述参考衬底上形成参考外延层;

步骤3,测试所述参考外延层的镀膜参数以作为所述外延层的检测参数。

2.如权利要求1所述的外延生长检测方法,其特征在于:所述外延生长检测方法为多层外延生长检测方法,所述生长衬底上生长有多层单外延层,将所述副容置槽分为与所述生长衬底上需要进行外延生长检测的单外延层一一对应的多个部分;

所述步骤2包括:依据所述生长衬底上但外延层的生长顺序,使用掩膜板依次裸露当前待生长的单外延层对应的所述副容置槽的一部分并遮盖所述副容置槽的其他部分,控制所述衬底托盘以预设速度匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层,以使所述生长衬底上形成对应的单外延层的同时,所述副容置槽的对应部分的参考衬底上形成相应的单参考外延层;

所述步骤3包括:检测每一部分处的参考衬底上的所述单参考外延层的镀膜参数以作为所述外延层中对应单外延层的检测参数。

3.如权利要求2所述的外延生长检测方法,其特征在于:

所述生长衬底上生长有双层单外延层,将所述副容置槽分为与所述生长衬底上需要进行外延生长检测的单外延层一一对应的第一部分和第二部分;

所述外延生长检测方法为双层外延生长检测方法;

所述步骤2包括:

步骤21,使用一掩膜板遮盖所述副容置槽的第一部分并裸露所述副容置槽的第二部分;

步骤22,控制所述衬底托盘以预设速度匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层,以使所述生长衬底上形成第一单外延层的同时,所述副容置槽的第二部分的参考衬底上形成第一单参考外延层;

步骤23,移动所述掩膜版以使掩膜板遮盖所述副容置槽的第二部分并裸露所述副容置槽的第一部分;

步骤24,控制所述衬底托盘以预设速度匀速转动并在所述衬底托盘上生长外延层,以使所述生长衬底的第一单外延层上形成第二单外延层,所述副容置槽的第一部分的参考衬底上形成第二单参考外延层;

所述步骤3包括:测试所述第一单参考外延层的镀膜参数以作为所述第一单外延层的检测参数,测试所述第二单参考外延层的镀膜参数以作为所述第二单外延层的检测参数。

4.如权利要求3所述的外延生长检测方法,其特征在于:所述掩膜板沿一滑动轨道滑动安装于所述衬底托盘上并可在所述衬底托盘的离心力作用下滑动以切换遮挡所述副容置槽的第一部分和第二部分,所述步骤23具体包括:控制所述衬底托盘由预设转速在预设时间内降低到0,以使所述遮挡板由遮挡所述副容置槽的第一部分切换遮挡所述副容置槽的第二部分。

5.如权利要求4所述的外延生长检测方法,其特征在于:所述滑动轨道沿所述衬底托盘旋转的离心方向设置且设置有限制所述掩膜板由所述滑动轨道的滑动前位向所述滑动轨道的滑动后位滑动的限位部,所述副容置槽的第一部分和第二部分沿所述滑动轨道由后向前排布,所述掩膜板沿所述滑动轨道在所述滑动后位和滑动前位之间滑动,以切换遮盖所述副容置槽的第一部分和所述副容置槽的第二部分,所述掩膜板和所述滑动轨道之间的接触表面为光滑的滑动面,以使所述掩膜板在所述衬底托盘减速时可在惯性作用下在所述滑动轨道上由后向前滑动。

6.如权利要求5所述的外延生长检测方法,其特征在于:所述限位部包括设于所述滑动轨道的轨道面上与所述滑动前位对应的位置且与所述掩膜板的支撑脚凹凸配合的的卡槽。

7.如权利要求4所述的外延生长检测方法,其特征在于:控制所述衬底托盘在30s内由旋转速度600rpm下降至0,以使所述遮挡板由遮挡所述副容置槽的第一部分切换遮挡所述副容置槽的第二部分。

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