[发明专利]一种低功耗RC张弛振荡器在审
申请号: | 202310294575.8 | 申请日: | 2023-03-23 |
公开(公告)号: | CN116317949A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 李泽宏;李勇;段锦泽;苏明明;王宁;叶约汉;倪静静 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/24 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 rc 张弛 振荡器 | ||
1.一种低功耗RC张弛振荡器,其特征在于,包括自偏置电流源、充放电电路、正阈值迟滞比较器以及两级限流反相器;
所述自偏置电流源包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4,第五PMOS管MP5,第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3,第一电阻R1;
第一PMOS管MP1栅极、第一PMOS管MP1漏极、第二PMOS管MP2栅极、第三PMOS管MP3栅极、第三PMOS管MP3源极共同连接到第一NMOS管MN1栅极,第一PMOS管MP1源极、第二PMOS管MP2源极、第三PMOS管MP3源极、第四PMOS管MP4源极共同连接到电源AVDD上,第二PMOS管MP2漏极、第五PMOS管MP5漏极、第三NMOS管MN3栅极、第三NMOS管MN3漏极共同连接到第二NMOS管MN2栅极,第三PMOS管MP3漏极、第一NMOS管MN1源极、第一NMOS管MN1漏极、第三NMOS管MN3源极、第一电阻R1的一端共同连接到参考地AGND,第四PMOS管MP4栅极、第四PMOS管MP4漏极、第五PMOS管MP5栅极共同连接到第二NMOS管MN2漏极,第二NMOS管源极与第一电阻R1的另一端相连;第四PMOS管MP4的栅极电压定义为电压Vbp,第三NMOS管MN3的栅极电压定义为电压Vbn;
所述充放电电路包括第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8,第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2;
第六PMOS管MP6栅极与电压Vbp相连,其源极与电源AVDD相连,漏极与第七PMOS管MP7源极、第八PMOS管MP8源极相连,第七PMOS管MP7栅极接信号QB,其漏极与第四NMOS管MN4漏极、第一电容C1的一端相连,第八PMOS管MP8栅极接信号QA,其漏极与第二电阻R2的一端、第一电容C1的另一端、第二电容C2的一端相连,第四NMOS管MN4栅极接信号QB,其源极与第五NMOS管MN5漏极相连,第五NMOS管MN5栅极与电压Vbn相连,其源极与参考地AGND相连,第六NMOS管MN6栅极、第六NMOS管MN6漏极与第二电阻R2的另一端相连,其源极与第二电容C2的另一端共同连接到参考地AGND;将第一电容C1与第七PMOS管MP7漏极相连接的一端电压定义为Vn,另一端电压定义为Vp;
所述正阈值迟滞比较器电路包括第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12;
第九PMOS管MP9源极、第十PMOS管MP10源极、第十一PMOS管MP11源极共同连接到电源AVDD,第九PMOS管MP9栅极、第十PMOS管MP10栅极、第九PMOS管MP9漏极共同连接到第八NMOS管MN8漏极,第十PMOS管MP10漏极、第十一PMOS管MP11栅极、第十一NMOS管MN11漏极共同连接到第九NMOS管MN9漏极,第十一PMOS管MP11漏极与第十二NMOS管MN12漏极相连,第八NMOS管MN8栅极与电压Vn相连,其源极与第九NMOS管MN9源极、第十NMOS管MN10源极共同连接到第七NMOS管MN7的漏极,第九NMOS管MN9栅极、第十NMOS管MN10栅极共同连接到电压Vp,第十NMOS管MN10漏极与第十一NMOS管MN11源极相连,第十一NMOS管MN11栅极接信号QA,第七NMOS管MN7栅极、第十二NMOS管MN12栅极共同连接到电压Vbn,第七NMOS管MN7源极、第十二NMOS管MN12源极共同连接到参考地AGND;将第十NMOS管MN10漏极电压定义为V1,第十一PMOS管MP11漏极电压定义为V2;
所述两级限流反相器包括、第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第一反相器INV1、第二反相器INV2;
第十二PMOS管MP12栅极、第十三PMOS管MP13栅极共同连接到电压Vbp,第十二PMOS管MP12源极、第十三PMOS管MP13源极共同连接到电源AVDD,第十二PMOS管MP12漏极与第一反相器INV1的VDD相连,第十二PMOS管MP13漏极与第二反相器INV2的VDD相连,第十三NMOS管MN13栅极、第十四NMOS管MN14栅极共同连接到电压Vbn,第十三NMOS管MN13源极、第十四NMOS管MN14源极共同连接到参考地AGND,第十三NMOS管MN13漏极与第一反相器INV1的VSS相连,第十四NMOS管MN14漏极与第二反相器INV2的VSS相连;第一反相器INV1的输入端与电压V2相连,输出端与第二反相器INV2的输入端相连;第一反相器INV1的输出定义为QB,第二反相器INV2的输出定义为QA。
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