[发明专利]一种高压微型发光器件的制备方法

权利要求书

1.一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S01、提供一外延结构，所述外延结构包括衬底及设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层至少包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区和第二型半导体层；

S02、通过蚀刻所述外延叠层，使部分所述第一型半导体层裸露，从而形成若干个凹槽及台面，所述凹槽与台面相对设置；

S03、通过深蚀刻所述外延叠层至裸露所述衬底表面，形成通过沟道相互间隔排布的若干个LED单元；

S04、制作第一钝化层，所述第一钝化层覆盖各所述LED单元，且分别裸露各所述LED单元所对应的凹槽、台面的至少部分表面；

S05、在各所述台面裸露部沉积透明导电层；

S06、在所述沟道内形成玻璃化绝缘层；

S07、制作桥接电极，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以连接相邻两个LED单元；

S08、沉积第一电极和第二电极，所述第一电极通过层叠于凹槽裸露部的方式设置于微型发光器件的一端，所述第二电极通过层叠于所述透明导电层表面的方式设置于微型发光器件的另一端。

2.根据权利要求1所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述玻璃化绝缘层通过降低环境温度以固化光刻胶而形成。

3.根据权利要求2所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述玻璃化绝缘层的制作具体包括：

首先、在各所述LED单元表面旋涂粘附剂，并进行软烤处理；

接着，旋涂光刻胶，并通过曝光、显影工艺仅保留位于所述沟道内的光刻胶；

最后，固化所述光刻胶。

4.根据权利要求3所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，通过多次调整环境温度以实现渐进式固化所述光刻胶。

5.根据权利要求1所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层包括BCB光刻胶。

6.根据权利要求1所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述LED单元包括倒装结构LED单元，则还包括绝缘反射镜，其包覆各所述LED单元及所述桥接电极，且保持所述第一电极，以及另一LED单元具有用于外部接触的第二电极。

7.根据权利要求6所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，在所述LED单元的表面还设有第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述绝缘反射镜背离所述LED单元的一侧表面，所述第一电极、第二电极通过层叠于所述第二钝化层的方式进行延伸扩展。

8.根据权利要求7所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘反射镜及所述第二钝化层通过同道ICP刻蚀工艺以保持所述凹槽及透明导电层裸露部，进而实现所述第一电极和第二电极的沉积点位。

9.根据权利要求8所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，通过调整ICP刻蚀过程中的气体源以实现所述ICP刻蚀工艺。

10.根据权利要求9所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述ICP刻蚀以CH_xF_y系气体作为蚀刻气体，O₂/Ar作为辅助气体，其中，X+Y≤4；且通过调整蚀刻气体、辅助气体的占比，以实现所述ICP刻蚀工艺。

11.根据权利要求1所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，在所述透明导电层的表面还设有金属电极层，则所述第二电极与对应所述金属电极层形成接触。

12.根据权利要求7所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层、第二钝化层包括具有高热导系数的绝缘材料层。

13.根据权利要求12所述的高压微型发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层包括AlN层、BN层、Al₂O₃层中的一种或多种。