[发明专利]温度检测电路、芯片和电子设备

说明书

本申请提供一种温度检测电路、芯片和电子设备，温度检测电路包括：电流检测电路与热敏电阻连接；电流检测电路和第一处理电路的第一端连接第一电压端；第一处理电路的第二端与第一三极管的发射极连接；电流检测电路、第一三极管的基极和集电极连接第二电压端；第一处理电路包括n个支路，每个支路的第一端连接第一处理电路的第一端；第一处理电路用于在预设第一周期的第一半周期内循环移位选通1个支路与第一处理电路的第二端之间的通路；在预设第一周期的第二半周期内循环移位选通至少2个支路与第一处理电路的第二端之间的通路；第一三极管的基极和发射极之间的电压信号用于作为目标电压信号。本申请例的温度检测电路具有相对更高的温度检测精度。

技术领域

本申请涉及温度检测技术领域，特别涉及一种温度检测电路、芯片和电子设备。

背景技术

温度是影响电子设备中器件安全稳定运行的因素之一。为了更好的控制电子设备中器件尤其是关键器件例如CPU、GPU、AI等的安全稳定运行，可以对器件的温度进行实时检测。但是，现有的温度检测电路检测到的温度精度较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种温度检测电路、芯片和电子设备，具有相对更高的温度检测精度。

第一方面，本申请实施例一种温度检测电路，包括：热敏电阻、电流检测电路、第一处理电路、第一三极管，其中，

所述电流检测电路与所述热敏电阻连接；所述电流检测电路和所述第一处理电路的第一端连接第一电压端；所述第一处理电路的第二端与所述第一三极管的发射极连接；所述电流检测电路、所述第一三极管的基极和集电极连接第二电压端；

所述电流检测电路用于：检测所述热敏电阻的第一电流信号，将检测到的第一电流信号发送给所述第一处理电路；

所述第一处理电路包括：n个支路，每个所述支路的第一端连接所述第一处理电路的第一端；n≥2；

所述第一处理电路用于：在预设第一周期的第一半周期内循环移位选通1个支路与所述第一处理电路的第二端之间的通路；在预设第一周期的第二半周期内循环移位选通至少2个支路与所述第一处理电路的第二端之间的通路；

所述第一三极管的基极和发射极之间的电压信号用于作为所述温度检测电路进行温度检测的目标电压信号。

该电路中，每次流入第一三极管Q1的电流信号是从n个支路中的1个或者多个支路循环移位流入的，而不是固定重复的从1个支路或者多个支路流入，从而可以消除温度检测电路的随机误差，提高温度检测电路的温度检测精度；而且，通过时序控制的方式，在第一周期的2个半周期内，分别采用不同的支路选通方式调整流入第一三极管Q1的电流信号，分别获得上述的电压信号VBE1和VBE2，进而可以计算deltaVBE，电路结构简单，从而使得温度检测电路的误差仅需要考虑第一三极管Q1自身的离散度偏差，也可以提高温度检测电路的温度检测精度。

在一种可能的实现方式中，所述第一处理电路包括：n个支路，以及支路选通电路，其中，

所述n个支路的第二端分别对应连接所述支路选通电路的输入端，所述支路选通电路的输出端用于作为所述第一处理电路的第二端；

所述支路选通电路用于：在预设第一周期的第一半周期内循环移位选通1个支路与所述支路选通电路的输出端之间的支路；在预设第一周期的第二半周期内循环移位选通至少2个支路与所述支路选通电路的输出端之间的支路。

在一种可能的实现方式中，所述n个支路中每个支路包括：串联的第一MOS管和第二MOS管；

所述第一MOS管的源极连接所属支路的第一端，漏极连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所属支路的第二端。

在一种可能的实现方式中，所述电流检测电路包括：第二三极管、第三三极管、功率放大器、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，