[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 202310303200.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN116293495A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林小郎;蔡宗翰 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V9/40;F21V14/00;F21V9/30;F21V5/02;F21V7/22;F21V5/04 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置，其特征在于，包括:
多个发光单元，所述多个发光单元发射一出射光，所述多个发光单元中的每一个发光单元包括:
一光源，用于提供一光线；
一反射层，用于反射所述光线；以及
一光转换结构，用于将所述光线转换成所述出射光，
其中所述出射光具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰，且所述子波峰的一法线强度大于所述子波峰的一斜向强度，以及
其中所述出射光的所述法线强度是沿着一法线方向测量而得，所述出射光的所述斜向强度是沿着一倾斜方向测量而得，且所述法线方向不同于所述倾斜方向。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，当以所述发光装置的所述法线方向为基准的一倾斜角增加时，所述子波峰的所述斜向强度会减小。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述子波峰的所述斜向强度对所述子波峰的所述法线强度的一比值的范围为0.001至0.97。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光转换结构设置在所述光源上。
5.一种发光装置，其特征在于，包括:
多个发光单元，所述多个发光单元发射一出射光，所述多个发光单元中的每一个发光单元包括:
一光源，用于提供一光线；
一反射层，用于反射所述光线；以及
一光转换结构，用于将所述光线转换成所述出射光，
其中所述出射光具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于520纳米至589纳米之间的一主波峰，且所述子波峰的一法线强度大于所述子波峰的一斜向强度，以及
其中所述出射光的所述法线强度是沿着一法线方向测量而得，所述出射光的所述斜向强度是沿着一倾斜方向测量而得，且所述法线方向不同于所述倾斜方向。
6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，当以所述发光装置的所述法线方向为基准的一倾斜角增加时，所述子波峰的所述斜向强度会减小。
7.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述子波峰的所述斜向强度对所述子波峰的所述法线强度的一比值的范围为0.001至0.97。
8.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述光转换结构设置在所述光源上。
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