[发明专利]外延晶片以及半导体激光器

权利要求书

1.一种外延晶片，其特征在于，所述外延晶片包括：

衬底；

功能层，所述功能层位于所述衬底上；其中，所述功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；

发光层，所述发光层位于所述功能层中，所述功能层用于驱动所述发光层发光，所述功能层包括第一功能层和第二功能层，所述第一功能层、所述发光层以及所述第二功能层沿靠近所述衬底的方向依次层叠于所述衬底上；

所述第一功能层包括第一波导层和第一限制层，所述第一波导层位于所述发光层远离所述第二功能层的一侧，所述第一限制层位于所述第一波导层远离所述发光层的一侧，并且所述第一波导层和所述第一限制层掺杂有Mg；

所述第一限制层包括第一子限制层和第二子限制层，所述第一子限制层位于所述第一波导层远离所述发光层的一侧，所述第二子限制层位于所述第一子限制层远离所述第一波导层的一侧；其中，所述第一子限制层掺杂有Mg，所述第二子限制层掺杂有Zn。

2.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述第一波导层中的Mg浓度小于所述第一限制层中的Mg浓度。

3.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述第一限制层还包括阻隔层，所述阻隔层位于所述第一子限制层和所述第二子限制层之间。

4.根据权利要求3所述的外延晶片，其特征在于，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层，所述第一阻隔层掺杂有Mg，所述第二阻隔层掺杂有Zn，所述阻隔层为至少一层所述第一阻隔层和至少一层所述第二阻隔层交替层叠并且成对的超晶格结构。

5.根据权利要求3所述的外延晶片，其特征在于，所述第一功能层还包括接触层，所述接触层位于所述第二子限制层远离所述第一子限制层的一侧，所述接触层和所述第二子限制层之间设置有过渡层，所述阻隔层和所述过渡层用于增大所述接触层与所述发光层之间的距离；其中，所述接触层掺杂有Zn。

6.根据权利要求3所述的外延晶片，其特征在于，所述阻隔层由无掺杂的AlGaInP材料构成。

7.根据权利要求1至6任一项所述的外延晶片，其特征在于，所述第一功能层为N型半导体层，所述第二功能层为P型半导体层；或所述第一功能层为P型半导体层，所述第二功能层为N型半导体层。

8.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括如权利要求1至7任一项所述的外延晶片。