[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有电容结构；

形成初始上极板，所述初始上极板至少覆盖所述电容结构顶面与侧壁；

沿垂直于所述基底表面的方向去除至少部分厚度的所述初始上极板，剩余的所述初始上极板作为上极板，在沿垂直于所述基底表面的方向上，位于所述电容结构的顶部的所述上极板的厚度为第一厚度；在沿垂直于所电容结构的侧壁表面的方向上，位于所述电容结构的侧壁的所述上极板的厚度为第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度；

形成导电层，所述导电层覆盖所述上极板远离所述电容结构的一侧表面，且所述导电层位于所述电容结构远离所述基底的一侧，所述导电层在沿垂直于所述基底表面的方向上的厚度与所述第一厚度之和小于所述第二厚度；

形成布线层，所述布线层位于所述上极板远离所述基底的一侧，且所述布线层与所述电容结构的顶部的所述导电层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成初始上极板包括：

采用第一气体环境形成第一初始上极板，所述第一初始上极板至少覆盖所述电容结构的顶面与侧壁；

采用第二气体环境形成第二初始上极板，所述第二初始上极板覆盖所述第一初始上极板远离所述电容结构的一侧表面，所述第一初始上极板和所述第二初始上极板共同构成所述初始上极板；

其中，所述第一气体环境中的气体种类与所述第二气体环境中的气体种类相同，所述第一气体环境中的气体浓度与所述第二气体环境中的气体浓度不同。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沿垂直于所述基底表面的方向去除至少部分厚度的所述初始上极板，包括：

沿垂直于所述基底表面的方向，去除所述电容结构的顶部的所述第二初始上极板，位于所述电容结构的顶部的所述第一初始上极板以及位于所述电容结构的侧壁的所述第一初始上极板和所述第二初始上极板共同作为所述上极板。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成初始上极板包括：

采用第一气体环境形成第一初始上极板，所述第一初始上极板至少覆盖所述电容结构的顶面与侧壁；

采用第二气体环境形成第二初始上极板，所述第二初始上极板覆盖所述第一初始上极板远离所述电容结构的一侧表面；

采用所述第一气体环境形成第三初始上极板，所述第三初始上极板覆盖所述第二初始上极板远离所述第一初始上极板的一侧表面，所述第一初始上极板、所述第二初始上极板和所述第三初始上极板共同构成所述初始上极板；

其中，所述第一气体环境中的气体种类与所述第二气体环境中的气体种类不同。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沿垂直于所述基底表面的方向去除至少部分厚度的所述初始上极板，包括：

沿垂直于所述基底表面的方向，以所述第二初始上极板作为刻蚀停止层，去除所述电容结构的顶部的所述第三初始上极板；

沿垂直于所述基底表面的方向去除所述电容结构的顶部的所述第二初始上极板，所述电容结构的顶部的所述第一初始上极板以及所述电容结构的侧壁的所述第一初始上极板、所述第二初始上极板和所述第三初始上极板共同构成所述上极板。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沿垂直于所述基底表面的方向去除至少部分厚度的所述初始上极板，包括：

去除所述电容结构的顶部的所述初始上极板，直至暴露出所述电容结构远离所述基底的一侧表面；

形成所述导电层，包括：所述导电层覆盖所述电容结构远离所述基底的一侧表面。