[发明专利]一种氧化铝陶瓷密排缝阵产品及其零件与制备方法在审
申请号: | 202310306202.8 | 申请日: | 2023-03-24 |
公开(公告)号: | CN116217267A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 罗永皓;张伟业;朱晓武;张欣悦;李艳辉;陈兴驰 | 申请(专利权)人: | 广东省科学院新材料研究所 |
主分类号: | C04B41/80 | 分类号: | C04B41/80;C04B41/00;C04B35/10;H01Q1/00;B23K26/38;B23K103/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 颜欢 |
地址: | 510650 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化铝陶瓷 密排缝阵 产品 及其 零件 制备 方法 | ||
1.一种氧化铝陶瓷密排缝阵零件,其特征在于,所述氧化铝陶瓷密排缝阵零件的壁面形成有由α-Al2O3转变为γ-Al2O3的α-γ逆向相变层。
2.根据权利要求1所述的氧化铝陶瓷密排缝阵零件,其特征在于,发生相变的α-Al2O3的量3.8-4.4wt%;
和/或,所述α-γ逆向相变层的厚度不超过60μm;
和/或,所述α-γ逆向相变层中,所述γ-Al2O3的质量含量不超过12%。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铝陶瓷密排缝阵零件,其特征在于,所述氧化铝陶瓷密排缝阵零件的壁面具有的缝阵为平行直线缝阵;
优选地,所述氧化铝陶瓷密排缝阵零件的壁面中缝阵的缝间距不小于0.85mm,更优为0.85-1mm。
4.如权利要求1-3任一项所述的氧化铝陶瓷密排缝阵零件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
对待处理的氧化铝陶瓷基体进行脉冲激光切割,以在剩余的氧化铝陶瓷基体对应切缝的位置形成氧化铝陶瓷密排缝阵零件的壁面,且所述壁面形成有所述α-γ逆向相变层。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,控制切割除去的氧化铝陶瓷基体的气熔比<0.12,优选≥0.04且<0.12;
其中,气熔比=切割除去的氧化铝陶瓷中被气化除去的质量/切割除去的氧化铝陶瓷中被熔化除去的质量;
优选地,气熔比为0.1。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,脉冲激光切割的激光输出功率为60-90W,激光扫描速度为60-100mm/min。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,脉冲激光切割的扫描路径为迂回的直线段。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,脉冲激光切割过程伴有辅助吹气;
优选地,辅助吹气的气体为氮气和/或惰性气体;
优选地,所述气体的压力为0.6-1.0MPa。
9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述待处理的氧化铝陶瓷基体中α-Al2O3的含量为96-99wt%;和/或,所述待处理的氧化铝陶瓷基体的厚度为1.5-3.0mm。
10.一种氧化铝陶瓷密排缝阵产品,其特征在于,所述氧化铝陶瓷密排缝阵产品含有权利要求1-3任一项所述的氧化铝陶瓷密排缝阵零件;
优选地,所述氧化铝陶瓷密排缝阵零件包括相控阵雷达零件、电子封装零件或微化工零件;
优选地,所述相控阵雷达零件包括缝阵雷达天线板;和/或,所述电子封装零件包括电子集成模块封装基板;和/或,所述微化工零件包括化工微反应器流道。
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