[发明专利]一种氧化铪复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化铪复合薄膜，其特征在于，所述氧化铪复合薄膜由若干层HfO₂纳米膜和若干层SiO₂纳米膜组成，相邻HfO₂纳米膜之间设置有SiO₂纳米膜，氧化铪复合薄膜的厚度为d；

其中，规定数值B＝d/25，数值N＝[d/25]；

若N＜B≤N+0.8，则镀膜膜系为：S|(80n_H/λH 20n_L/λL)^N 4n_H(d-25N)/λH|A,

若N+0.8＜B≤N+1，则镀膜膜系为：S|(80n_H/λH 20n_L/λL)^N 80n_H/λH4n_L(d-25N-20)/λL|A；

其中，S表示基底，A表示空气，H表示光学厚度为λ/4的HfO₂纳米膜，L表示光学厚度为λ/4的SiO₂纳米膜；λ为各膜层所处膜系的中心波长。

2.根据权利要求1所述的一种氧化铪复合薄膜，其特征在于，HfO₂纳米膜的厚度低于20nm。

3.根据权利要求1所述的一种氧化铪复合薄膜，其特征在于，SiO₂纳米膜的厚度低于5nm。

4.一种如权利要求1-3任一所述的氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用离子束辅助沉积工艺在基板上依次沉积HfO₂纳米膜和SiO₂纳米膜。

5.根据权利要求4所述的一种氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板为表面粗糙度小于0.3nm的超抛石英基板。

6.根据权利要求4所述的一种氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，离子束辅助沉积工艺过程中，沉积HfO₂纳米膜时，氧分压为1.8×10^-2Pa；沉积SiO₂纳米膜时，氧分压为1.5×10^-2Pa。

7.根据权利要求4所述的一种氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，离子束辅助沉积工艺过程中，基板温度为100-150℃。

8.根据权利要求4所述的一种氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，离子束辅助沉积工艺过程中，蒸发速率为1nm/s。

9.根据权利要求4所述的一种氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，离子束辅助沉积工艺过程中，离子源电压为900V。

10.根据权利要求4所述的一种氧化铪复合薄膜的制备方法，其特征在于，离子束辅助沉积工艺过程中，离子源电流为1000mA。