[发明专利]一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法

权利要求书

1.一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S100，将用于外延生长的SiC衬底装入反应腔中，在氢气气氛中升温至一定温度并设置压强；

步骤S200，保持氢气通入的同时通入辅助气体，辅助气体采用脉冲的方式通入反应室；

步骤S300，脉冲式辅助处理结束后，保持氢气通入，停止通入辅助气体，维持反应腔内的温度和压强，通入少量氯化氢气体，继续进行原位刻蚀；

步骤S400，原位刻蚀结束，开始进行外延层生长。

2.根据权利要求1所述的改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，步骤S100中，在氢气气氛中升温至1500～1650℃，设置压强为40～200mbar。

3.根据权利要求1所述的改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，步骤S100中，所述衬底为沿11-20方向0.1°～8°偏角的偏轴导电型或半绝缘型SiC衬底。

4.根据权利要求1所述的改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，步骤S200中，在一个时间周期T内包含不同的进气时间段Δt₁和Δt₂以及时间间隔Δt’，在Δt₁和Δt₂中分别通入两种不同的辅助气体，在Δt’中停止通入辅助气体，维持温度及压强，进行所述脉冲式辅助原位刻蚀处理。

5.根据权利要求4所述的改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，步骤S200中，进行所述脉冲式辅助原位刻蚀处理的时间是5～60min，进气时间段Δt₁和Δt₂范围满足1s≤Δt₁≤60s，1s≤Δt₂≤60s，时间间隔Δt’范围满足1s≤Δt’≤20s。

6.根据权利要求4所述的改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，步骤S200中，所述辅助气体为硅源和碳源，硅源的种类包括硅烷、三氯氢硅、二氯二氢硅，硅源气体流量与氢气流量的比例范围为0.004％～0.1％，碳源的种类包括丙烷、乙烯、甲烷、乙炔，碳源与硅源之间碳与硅的摩尔比满足0.6≤C/Si≤1.6。

7.根据权利要求1所述的改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，其特征在于，步骤S300中，继续进行原位刻蚀的时间是1～10min，氯化氢气体流量与氢气流量的比例范围为0.01％～0.1％。