[发明专利]LED芯片的制备方法及LED基板

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一金属膜层，并对所述第一金属膜层进行光刻处理形成第一金属阻隔块；所述第一金属阻隔块包括承接部和阻隔部，所述阻隔部设于所述承接部远离所述衬底的一侧，所述承接部在所述衬底上的正投影位于所述阻隔部在所述衬底上的正投影内；

在所述衬底和所述第一金属阻隔块上形成保护层，并对所述保护层进行光刻处理获得保护块，所述保护块覆盖所述承接部并环绕所述阻隔部设置；

在所述衬底、所述保护块和所述阻隔部上形成第二金属膜层，并对所述第二金属膜层进行光刻处理形成第二金属阻隔块，所述第二金属阻隔块设于所述保护块远离所述衬底的一侧；

在所述衬底、所述第二金属阻隔块和所述阻隔部上形成外延层，位于所述衬底上的所述外延层侧壁与所述保护块连接，且位于所述衬底上的所述外延层的高度小于或等于所述保护块和所述承接部的高度之和；对所述外延层进行刻蚀处理，以去除所述第二金属阻隔块上的所述外延层和所述阻隔部上的所述外延层；

去除所述第一金属阻隔块和所述第二金属阻隔块；

在所述外延层远离所述衬底的一侧形成电极。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，形成保护块包括如下步骤：

通过原子层沉积并以三甲基铝和水蒸气为反应气体以及氮气为载气，在所述衬底和所述第一阻隔块上形成氧化铝保护层。

3.根据权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在形成所述保护块后还包括如下步骤：

在700℃至1200℃的温度下，对所述保护块进行退火处理。

4.根据权利要求1或3所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，去除所述第二金属阻隔块上的所述外延层和所述阻隔部上的所述外延层包括如下步骤：

在位于所述衬底上的所述外延层形成光刻胶，通过电感耦合等离子体刻蚀去除所述第二金属阻隔块上的所述外延层和所述阻隔部上的所述外延层。

5.根据权利要求1-3任一项所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，去除所述第一金属阻隔块和所述第二金属阻隔块包括如下步骤：

通过酸液刻蚀所述第一金属阻隔块和所述第二金属阻隔块。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层包括在所述衬底的厚度方向上依次形成的未掺杂的氮化镓、N型氮化镓、多量子阱和P型氮化镓，所述未掺杂的氮化镓的高度大于所述承接部的高度。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二金属阻隔块、所述保护块和所述承接部的整体高度等于或高于所述承接部和所述阻隔部的高度之和。

8.根据权利要求6或7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述承接部的高度与所述阻隔部的高度之和高于所述外延层的高度。

9.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石。

10.一种LED基板，其特征在于，所述LED基板包括至少一个如权利要求1-9任一项所述的LED芯片的制备方法制备的LED芯片，所述LED芯片包括衬底、外延层、第一电极和第二电极，所述外延层形成于所述衬底上，且所述外延层远离所述衬底的一侧形成所述第一电极和所述第二电极。