[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管(1)包括：

位于衬底基板(2)上且沿远离所述衬底基板(2)的一侧依次层叠的遮挡层(101)，第一绝缘层(102)，半导体层(103)，第二绝缘层(104)以及电极层(105)；

其中，所述电极层(105)包括第一电极图案(1051)，第二电极图案(1052)和第三电极图案(1053)，所述第三电极图案(1053)位于所述第一电极图案(1051)和所述第二电极图案(1052)之间，且与所述第一电极图案(1051)和所述第二电极图案(1052)之间均具有间隔；

所述第一电极图案(1051)在所述衬底基板(2)上的正投影，与所述半导体层(103)在所述衬底基板(2)上的正投影以及所述遮挡层(101)的目标部分在所述衬底基板(2)上的正投影均至少部分重叠，且所述第一电极图案(1051)和所述半导体层(103)通过所述第二绝缘层(104)中的第一过孔(104a)电连接，所述第一电极图案(1051)所传输的信号的电位和所述目标部分所传输的信号的电位不同；

所述第二电极图案(1052)在所述衬底基板(2)上的正投影与所述半导体层(103)在所述衬底基板(2)上的正投影至少部分重叠，且所述第二电极图案(1052)和所述半导体层(103)通过所述第二绝缘层(104)中的第二过孔(104b)电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮挡层(101)具有第一遮挡结构(1011a)和第二遮挡结构(1012a)，所述第一遮挡结构(1011a)和所述第二遮挡结构(1012a)相交设置，且为一体结构；

所述第一遮挡结构(1011a)在所述衬底基板(2)上的正投影覆盖所述薄膜晶体管(1)的沟道区，所述薄膜晶体管(1)的沟道区为所述第三电极图案(1053)在所述衬底基板(2)上的正投影和所述半导体层(103)在所述衬底基板(2)上的正投影的重叠区，所述第一遮挡结构(1011a)为所述目标部分；

所述第二遮挡结构(1012a)在所述衬底基板(2)上的正投影与所述第三电极图案(1053)在所述衬底基板(2)上的正投影至少部分重叠，且所述第二遮挡结构(1012a)和所述第三电极图案(1053)通过所述第一绝缘层(102)中的第三过孔(102a)和所述第二绝缘层(104)中的第四过孔(104c)电连接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层(103)包括沿第一方向(A)排布且为一体结构的第一半导体结构(1031a)，第二半导体结构(1032a)和第三半导体结构(1033a)；

所述第一半导体结构(1031a)在所述衬底基板(2)上的正投影覆盖所述第一过孔(104a)在所述衬底基板(2)上的正投影；

所述第二半导体结构(1032a)在所述衬底基板(2)上的正投影位于所述第一遮挡结构(1011a)在所述衬底基板(2)上的正投影内；

所述第三半导体结构(1033a)在所述衬底基板(2)上的正投影覆盖所述第二过孔(104b)在所述衬底基板(2)上的正投影。