[发明专利]一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法

权利要求书

1.一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法，其特征在于：包括以下步骤：

Ⅰ.仿真计算模型表面的电子密度，将仿真计算的绕流场电子密度分布作为基础分布；

Ⅱ.通过观测点的RCS测量结果，反演修正函数；将修正函数在原点处展开为泰勒级数，得到修正函数为：

通过修正函数与基础分布在任意位置相乘获得任意位置电子密度的修正值；

Ⅲ.由遗传算法筛选出的最优个体即为反演修正结果。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法，其特征在于：修正函数Corr_p()为任意位置处电子密度的真实值与基础值之间的比值。

3.根据权利要求2所述的一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法，其特征在于：对修正函数中的N取1阶近似后为：

Corr_p(x′,y′,z′)＝Corr_p(0,0,0)+a₁x′+b₁y′+c₁z′。

4.根据权利要求3所述的一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法，其特征在于：在用遗传算法对等离子体绕流场进行参数反演时，先定义相应的目标代价函数：

其中，I表示频率观察点数目；

表示有等离子体绕流场下，实验测量的固定观察角(场点)处在频率f_i处的RCS值；

表示只有本体情形下，实验测量的固定观察角(场点)处在频率f_i处的RCS值；

表示有等离子体绕流场下，仿真计算的固定观察角(场点)处在频率f_i处的RCS值；

表示只有本体情形下，仿真计算的固定观察角(场点)处在频率f_i处的RCS值；

根据有等离子体绕流场下，流场分布由时域有限差分方法计算得到。