[发明专利]一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺

权利要求书

1.一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，包括以下步骤：

S1，将硅酸钠溶于纯水，配制硅酸钠溶液；

S2，配制酸溶液，所述酸溶液的浓度为0.1-35%；

S3，在搅拌状态下将S2所得酸溶液滴入S1溶液中，反应生成硅酸沉淀；

S4，将S3得到的硅酸沉淀进行过滤，水洗，得到硅酸，将硅酸与纯水配制成悬浊液；

S5，将铈盐溶于步骤S4生成的硅酸悬浊液中，再加入表面活性剂，其中，所述铈盐的浓度为1-20%；

S6，将碱性溶液滴入步骤S5生成的溶液中，形成硅酸和氢氧化铈共沉淀；

S7，将S6产生的沉淀，过滤、干燥、煅烧得到硅铈复合粉末。

2.如权利要求1所述的一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，其特征在于：步骤S1中所述的硅酸钠浓度为1-40%。

3.如权利要求1所述的一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，其特征在于：步骤S2中，所述酸溶液选用无机酸，如硫酸、硝酸、盐酸；或所述酸溶液选用有机酸，如草酸、柠檬酸；或，所述酸溶液为通入二氧化碳气体生成的碳酸。

4.如权利要求1所述的一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，其特征在于：步骤S5中所述铈盐中的铈盐选用碳酸铈、醋酸铈、草酸铈、硝酸铈或氯化铈。

5.如权利要求1所述的一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，其特征在于：步骤S5中所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、聚乙二醇、硬酯酸、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸铵和季铵化物中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，其特征在于：步骤S6中所述碱性溶液选用氨水、尿素、碳酸钠、碳酸氢钠或碳酸氢铵。

7.如权利要求1所述的一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺，其特征在于：步骤S7中的干燥方式选用热风干燥、红外干燥、微波干燥或喷雾干燥；煅烧设备为马弗炉、梭式炉、推车炉、升降炉、推板炉或辊道炉；煅烧温度为400-1100℃。