[发明专利]一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统

说明书

本申请公开了一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统，属于太阳电池制备技术领域；方法包括：获取附着有多晶硅的待处理件；对待处理件的多晶硅进行第一反应处理，以使多晶硅转变为氧化硅；对待处理件的氧化硅进行第二反应处理，以使氧化硅转变为可溶的硅化物；把可溶的硅化物进行溶解，完成去除；其中，第一反应处理的药剂有效成分包括Osubgt;3/subgt;和/或Hsubgt;2/subgt;Osubgt;2/subgt;，第二反应处理的药剂有效成分包括HF；通过利用Osubgt;3/subgt;和/或Hsubgt;2/subgt;Osubgt;2/subgt;来将待处理件的多晶硅进行反应，然后利用HF对转变后的氧化硅进行反应，最后对可溶的硅化物进行溶解，实现待处理件的多晶硅的腐蚀、溶解去除，避免在去除过程中引入N，进而解决了目前酸洗的废液含N的问题。

技术领域

本申请涉及太阳电池制备技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统。

背景技术

现在行业内Poly石墨舟使用前需要先沉积一层氮化硅膜作为饱和过程，饱和完成的石墨舟正常生产TOPCon电池片时需要沉积Poly硅膜及SiO膜，随着石墨舟使用次数的增加导电性能变差，需要循环清洗Poly石墨舟。

由于Poly需要硝酸或碱洗，而氮化硅又需要HF清洗。所以清洗TOPcon工艺制程中Poly硅石墨舟的方式主要分为：酸碱结合和酸洗。

酸碱结合的清洗方式主要是先利用HF酸与氮化硅反应的过程，利用石墨的多孔透水特性，可以将石墨舟表面的氮化硅清洗掉，从而就将Poly硅层逐渐剥离掉漂浮在液面之上，然后石墨舟进入水洗槽再到碱洗，通过碱对残留Poly硅层进行腐蚀溶解掉，碱洗完继续水洗，再到酸洗对石墨舟表面的碱进行中和反应。最后水洗烘干完成洗舟流程。洗完后Poly硅层剥离脱落后会漂浮在槽体液面之上，石墨舟抬走后依然会有大量漂浮物遗留在液面之上，随着槽体药液的使用次数增加，漂浮物累计越来越多，最终石墨舟无法清洗干净，排液时漂浮物太多会将排液管道堵住导致清洗机无法正常使用。

酸洗主要是用H₂NO₃和HF，利用氧化还原的方式，硝酸与Poly发生反应，从而将石墨舟清洗干净，其不会产生漂浮物而导致堵塞，是目前较为理想的洗舟方式，但是由于H₂NO₃废液中含有N，含N废液处理成本高，同时对环境保护非常不利。

发明内容

本申请的目的在于提供一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统，以解决目前酸洗的废液含N的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种多晶硅的去除方法，所述方法包括：

获取附着有多晶硅的待处理件；

对所述待处理件的多晶硅进行第一反应处理，以使多晶硅转变为氧化硅；

对所述待处理件的氧化硅进行第二反应处理，以使氧化硅转变为可溶的硅化物；

把可溶的所述硅化物进行溶解，完成去除；

其中，第一反应处理的药剂有效成分包括O₃和/或H₂O₂，所述第二反应处理的药剂有效成分包括HF。

通过利用O₃和/或H₂O₂来将待处理件的多晶硅(Poly)进行氧化，把多晶硅(Poly)转变为氧化硅(SiO₂)，然后利用HF对转变后的氧化硅(SiO₂)进行还原，把氧化硅(SiO₂)转变为可溶的硅化物(H₂SiF₆)，最后对可溶的硅化物(H₂SiF₆)进行溶解，实现待处理件的多晶硅(Poly)的腐蚀、溶解去除，避免在去除过程中引入N，进而解决了目前酸洗的废液含N的问题。