[发明专利]TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、对抛光片实施氮化硅层沉积工艺，得镀膜片；

S2、在S1所得镀膜片上镀有氮化硅层的一面依次沉积隧穿氧化层和预设厚度的多晶硅层，得到具有预设多晶硅层厚度的标准片；

S3、在TOPCon电池生产线的监控位置放置S1所得镀膜片作为监控片，并将镀有氮化硅层的一面与生产线中的硅片共同接受隧穿氧化层和多晶硅层的沉积工艺，分别得沉积监控片和沉积硅片；

S4、将S3所得沉积监控片的颜色与S2所得标准片的颜色进行比对，通过颜色判断S3所得沉积硅片的多晶硅层的厚度，若所述沉积监控片的颜色与所述标准片的颜色相同，则所述沉积监控片的多晶硅层厚度符合要求，若颜色不同则不符合要求。

2.如权利要求1所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，S1中对抛光片的双面或单面实施氮化硅层沉积工艺。

3.如权利要求1所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为60nm-100nm。

4.如权利要求1所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，S1中所述镀膜片存放于氮气或惰性气体氛围中。

5.如权利要求1所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，S2中所述多晶硅层的厚度为50nm-150nm。

6.如权利要求1所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，S3中所述监控位置至少包括每管或每批中的开头位置、中间位置和结尾位置。

7.如权利要求1所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法，其特征在于，S3中所述监控片的氮化硅层厚度与所述标准片的氮化硅层厚度一致。

8.一种权利要求1-6任一项所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法在判断TOPCon电池中多晶硅层均匀性中的应用。

9.如权利要求8所述的权利要求1-6任一项所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法在判断TOPCon电池中多晶硅层均匀性中的应用，其特征在于，通过比较沉积监控片不同位置的颜色差异判断沉积硅片的多晶硅层是否沉积均匀。

10.如权利要求8所述的权利要求1-6任一项所述的TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法在判断TOPCon电池中多晶硅层均匀性中的应用，其特征在于，通过比较在同管或同批中处于不同位置的沉积监控片的颜色差异判断该管或该批所得沉积硅片的多晶硅层是否沉积均匀。