[发明专利]一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上依次外延生长N+GaN层和N-GaN层；

在所述N-GaN层表面制作肖特基电极；

对所述肖特基电极未覆盖区域的N-GaN层的外周进行刻蚀，直到暴露出下方的N+GaN层，形成刻蚀平台；

对剩余N-GaN层的侧壁和所述刻蚀平台的部分区域进行离子注入，使被注入离子的GaN变成绝缘体，形成绝缘区域；所述刻蚀平台进行离子注入的区域与剩余N-GaN层的侧壁相连接；

在所述绝缘区域表面和N-GaN层表面除肖特基电极以外的区域覆盖钝化层；

在所述刻蚀平台表面钝化层以外的区域制备欧姆电极，使所述欧姆电极与所述钝化层相连接，得到低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的反应气体为氮气或氩气。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的条件包括：注入能量为100~200keV，离子束电流为10~20μA，注入剂量为1~2×10¹³/cm²。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层为SiO₂层或SiN层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述肖特基电极采用的电极材料包括Ni/Au、Ni/Ag或Ni/Pt。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述欧姆电极采用的电极材料包括Al、Ti或Al/TiN。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述N+GaN层的掺杂浓度在1×10¹⁹/cm³以上。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述N-GaN层的掺杂浓度小于1×10¹⁸/cm³。

9.权利要求1~8任一项所述制备方法制备得到的低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管。