[发明专利]铜基石墨烯复合中心导体及其制造方法及射频同轴电缆

权利要求书

1.射频同轴电缆的铜基石墨烯复合中心导体，其特征在于：包括铜基中心导体，在铜基中心导体的表面涂覆有石墨烯层，所述石墨烯层由石墨烯浆液涂布于铜基中心导体制得。

2.根据权利要求1所述的射频同轴电缆的铜基石墨烯复合中心导体，其特征在于：石墨烯浆液由去离子水、水性分散剂、以及石墨烯粉体组成，所述水性分散剂为德国毕克化学生产的型号为BYK-2012的水性分散剂，石墨烯粉体选用5-10层石墨烯；所述去离子水、水性分散剂、石墨烯粉体三者的重量比为：去离子水:水性分散剂:石墨烯粉体=10±5%:1±5%:1.4±5%。

3.根据权利要求2所述的射频同轴电缆的铜基石墨烯复合中心导体，其特征在于：石墨烯浆液中的去离子水、水性分散剂、石墨烯粉体三者的重量比为：去离子水:水性分散剂:石墨烯粉体=10:1:1.4。

4.一种射频同轴电缆，其特征在于：采用如权利要求1或2所述的铜基石墨烯复合中心导体，在铜基石墨烯复合中心导体的外部包覆有介电层，在介电层的外部包覆有屏蔽层，在屏蔽层的外部包覆有护套。

5.射频同轴电缆的铜基石墨烯复合中心导体的制造方法，其特征在于：用于制造如权利要求1或2所述的铜基石墨烯复合中心导体，具体制造步骤如下：

步骤（1）：将石墨烯浆液均匀涂覆于铜基中心导体的表面，所述石墨烯浆液由去离子水、水性分散剂及石墨烯粉体组成，所述水性分散剂选用德国毕克化学生产的型号为BYK-2012的水性分散剂，石墨烯粉体选用5-10层石墨烯；所述去离子水、水性分散剂、石墨烯粉体三者的重量比为：去离子水:水性分散剂:石墨烯粉体=10±5%:1±5%:1.4±5%；

步骤（2）：石墨烯固化：将表面均匀涂覆有石墨烯浆液的铜基中心导体依次经过预热温区、前中温区、高温区、后中温区及冷却温区后得到铜基石墨烯复合中心导体；

所述预热温区的温度为80±5℃，所述铜基中心导体在预热温区的保温时间为3.45～10.05分钟；所述前中温区的温度为275±5℃，所述铜基中心导体在前中温区的保温时间为1.6～5.05分钟；所述高温区的温度为480±5℃，所述铜基中心导体在高温区的保温时间为4.95～15.05分钟，所述后中温区的温度为275±5℃，所述铜基中心导体在后中温区的保温时间为1.6～5.05分钟；所述冷却温区的温度为80±5℃，所述铜基中心导体在冷却温区的保温时间为3.45～10.05分钟。

6.根据权利要求5所述的射频同轴电缆的铜基石墨烯复合中心导体的制造方法，其特征在于：在步骤（1）中，石墨烯浆液的制作步骤如下：

步骤（1.1）：将水性分散剂加入到去离子水中并搅拌混合均匀，形成混合溶液；其中，水性分散剂为德国毕克化学生产的型号为BYK-2012的水性分散剂；

步骤（1.2）：将石墨烯粉体加入到步骤（1.1）制得的混合溶液中并搅拌混合均匀，得到石墨烯预分散液；其中，石墨烯粉体选用5-10层石墨烯；所述去离子水、水性分散剂、石墨烯粉体三者的重量比为：

去离子水:水性分散剂:石墨烯粉体=10±5%:1±5%:1.4±5%；

步骤（1.3）：将步骤（1.2）得到的石墨烯预分散液转移至研磨分散机中，通过研磨分散机对石墨烯预分散液进行研磨，得到石墨烯浆液。

7.根据权利要求5或6所述的射频同轴电缆的铜基石墨烯复合中心导体的制造方法，其特征在于：铜基中心导体的导体线径为1mm时，铜基中心导体在预热温区的保温时间为10±5%分钟；铜基中心导体在前中温区的保温时间为5±5%分钟；铜基中心导体在高温区的保温时间为15±5%分钟，铜基中心导体在后中温区的保温时间为5±5%分钟；铜基中心导体在冷却温区的保温时间为10±5%分钟。