[发明专利]一种失效分析定位方法

权利要求书

1.一种失效分析定位方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一具有SRAM芯片的测试样品，所述SRAM芯片中至少包含一具有多个MOS管的失效存储单元；

利用纳米探针设备，并根据获取的所述测试样品所对应的芯片设计电性参数和新增栅极脉冲电压，对预处理后的测试样品进行电性测量，以通过包含所述新增栅极脉冲电压后的电性测量模拟所述SRAM芯片的实际工作状态的方式，确定出所述失效存储单元中存在失效缺陷的MOS管。

2.如权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，所述测试样品中的SRAM芯片包括若干由多个MOS管组成的存储单元，而每个所述MOS管包括栅极、源漏极以及分别用于电性连接所述栅极、源极和漏极的导电插塞。

3.如权利要求2所述的失效分析定位方法，其特征在于，对所述测试样品进行的预处理的步骤包括：对所述测试芯片进行研磨去层处理，以暴露出连接每个所述MOS管的源极、漏极以及栅极的导电插塞。

4.如权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，所述新增栅极脉冲电压的电压值随频率的改变而改变，所述新增栅极脉冲电压的频率与所述测试样品所进行的电性测量时所采用的频率一致。

5.如权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，所述新增栅极脉冲电压的电压值随频率的改变而改变，所述新增栅极脉冲电压的频率为纳米探针设备的最高频率。

6.如权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，所述新增栅极脉冲电压的取值≥0。

7.如权利要求3所述的失效分析定位方法，其特征在于，对预处理后的测试样品进行电性测量的步骤包括：

利用纳米探针设备，并根据获取的所述测试样品所对应的芯片设计电性参数和新增栅极脉冲电压，对所述SRAM芯片中的每个MOS管的栅极、源极和漏极上均施加一电压。

8.如权利要求7所述的失效分析定位方法，其特征在于，对预处理后的测试样品进行电性测量的步骤包括：

获取的所述测试样品所对应的芯片设计电性参数，以确定出所述SRA M芯片中的每个MOS管的源极和漏极所加的电压条件；

针对每个所述MOS管，通过导电插塞和纳米探针设备，将所述电压条件施加在该MOS管的源极和漏极上，同时将所述新增栅极脉冲电压施加在该MOS管的栅极上。

9.如权利要求2所述的失效分析定位方法，其特征在于，所述失效存储单元中的MOS管所存在的失效缺陷包括由该MOS管的栅极空洞所引起的栅极电阻或栅极电容增大的栅极失效缺陷。