[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底之上形成多个间隔排布的栅极结构；于各栅极结构的侧壁形成预侧墙；于衬底的上表层、各栅极结构的上表层以及各预侧墙的表面形成介质层，其中，介质层与衬底之间形成有缝隙；去除部分介质层，以形成侧墙结构；侧墙结构包括去除部分介质层后，保留在预侧墙的侧壁顶部的部分介质层；基于各侧墙结构对衬底的待注入区域进行离子注入；待注入区域位于各栅极结构之间的衬底内。采用本方法能够简化离子注入的工艺流程。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，在半导体结构的制备工艺中，通常需要对衬底进行离子注入，其形成的离子注入区域的大小需要根据实际的工艺需求进行调整。

传统技术中，通常需要经历一系列工艺流程才能调整离子注入区域的大小以及位置。例如，传统技术中需要先形成较厚的侧墙，然后根据所需的离子注入区域的大小以及位置对侧墙的厚度反复进行调整，经离子注入后还需对侧墙进行修复步骤以补充损耗的侧墙。在传统技术中，若发现形成的离子注入区域的大小或者位置不合适，则还需要重新进行上述一系列的工艺流程重新调整侧墙的厚度，以重新调整离子注入区域的大小以及位置，从而传统技术存在离子注入的工艺流程较为繁琐的问题。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中离子注入的工艺流程较为繁琐的问题提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：

提供衬底；

于所述衬底之上形成多个间隔排布的栅极结构；

于各所述栅极结构的侧壁形成预侧墙；

于所述衬底的上表层、各所述栅极结构的上表层以及各所述预侧墙的表面形成介质层，所述介质层与所述衬底之间形成有缝隙；

去除部分所述介质层，以形成侧墙结构；所述侧墙结构包括去除部分所述介质层后，保留在所述预侧墙的侧壁顶部的部分所述介质层；

基于各所述侧墙结构对所述衬底的待注入区域进行离子注入；所述待注入区域位于各所述栅极结构之间的所述衬底内。

上述半导体结构的制备方法，通过于所述衬底之上形成多个间隔排布的栅极结构，并于各所述栅极结构的侧壁形成预侧墙；于所述衬底的上表层、各所述栅极结构的上表层以及各所述预侧墙的表面形成介质层，其中，所述介质层与所述衬底之间形成有缝隙；去除部分所述介质层，以形成侧墙结构；所述侧墙结构包括去除部分所述介质层后，保留在所述预侧墙的侧壁顶部的部分所述介质层；基于各所述侧墙结构对所述衬底的待注入区域进行离子注入；所述待注入区域位于各所述栅极结构之间的所述衬底内。由于侧墙结构的存在，从而能够通过调整离子注入角度的方式灵活地调整待注入区域的大小以及位置，从而能够简化离子注入的工艺流程。

在其中一个实施例中，所述去除部分所述介质层，以形成侧墙结构，包括：

采用干法刻蚀工艺去除位于所述衬底的上表层以及各所述栅极结构的上表层的部分所述介质层，以使位于所述衬底的上表层以及各所述栅极结构的上表层的所述介质层的厚度小于位于各所述预侧墙的侧壁的所述介质层的厚度；

采用湿法刻蚀工艺同时去除所述衬底的上表层、各所述栅极结构的上表层以及各所述预侧墙的侧壁底部的所述介质层，并保留在所述预侧墙的侧壁顶部的部分所述介质层以作为侧墙结构。

在其中一个实施例中，所述于所述衬底的上表层、各所述栅极结构的上表层以及各所述预侧墙的表面形成介质层，所述介质层与所述衬底之间形成有缝隙，包括：

采用沉积工艺于所述衬底的上表层、各所述栅极结构的上表层以及各所述预侧墙的表面形成介质层；