[发明专利]一种抛光用氧化铝粉体及其制备方法在审
申请号: | 202310327150.2 | 申请日: | 2023-03-30 |
公开(公告)号: | CN116354374A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 王程民;黄君;柏向阳;王大忠;陆琤 | 申请(专利权)人: | 雅安百图高新材料股份有限公司;成都百图高新材料科技有限公司;上海百图高新材料科技有限公司 |
主分类号: | C01F7/02 | 分类号: | C01F7/02;C01F7/021;C01F7/023;C01F7/441;C09G1/02 |
代理公司: | 成都欣圣知识产权代理有限公司 51292 | 代理人: | 易丹 |
地址: | 62519*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 氧化铝 及其 制备 方法 | ||
1.一种抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,选取氢氧化铝原料,加入热纯水中,并加入生长剂,配置第一浆液;
步骤S2,向所述第一浆液中加入pH调节剂,调节至酸性,研磨,获得氢氧化铝母液;
步骤S3,将所述氢氧化铝母液经陶瓷膜洗涤,浓缩,获得第二浆液;
步骤S4,将所述第二浆液进行水热晶化处理,处理后经陶瓷膜洗涤,干燥获得氧化铝前驱体;
步骤S5,将所述氧化铝前驱体进行煅烧,获得氧化铝粉体。
2.根据权利要求1所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述热纯水的温度为50-80℃,所述第一浆液中氢氧化铝的固含量在40%及以上。
3.根据权利要求1或2所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述生长剂为二氧化钛、硫酸钾、硫酸钠、氟化铝、氟化铵、三氟化钛和硫酸铝中的一种或多种;所述生长剂的添加量按质量计,其添加量为所述氢氧化铝原料质量的0.3-0.8%;
和/或,所述pH调节剂为硫酸、醋酸、聚丙烯酸、乳酸和草酸中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,向所述第一浆液中加入pH调节剂,调节其pH至2.0-6.0范围内;
和/或,所述步骤S2中,研磨时间为0.5-5h,所述氢氧化铝母液中固含物的粒度≤200nm。
5.根据权利要求1所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,在所述步骤S3中,控制所述氢氧化铝母液经陶瓷膜洗涤的次数和浓缩比例,使获得的所述第二浆液的固含量在40%左右,且所述第二浆液的电导率≤50us/cm。
6.根据权利要求1所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,水热晶化的温度为160-300℃,水热晶化处理时间为2-24h。
7.根据权利要求1、5和6任一项所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,水热晶化处理后,经陶瓷膜多次洗涤,控制洗涤后浆液的固含量在40%左右,电导率在10-50us/cm范围内。
8.根据权利要求7所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,采用喷雾干燥,获得的所述氧化铝前驱体的粒度≤500nm。
9.根据权利要求1所述的抛光用氧化铝粉体的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,煅烧温度为1000-1050℃,煅烧时间为3-10h。
10.一种抛光用氧化铝粉体,其特征在于,采用如权利要求1至9任一项所述的制备方法制得,所述氧化铝粉体呈平板状结构,平均粒径为0.5-5μm,平均厚度为20-200nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于雅安百图高新材料股份有限公司;成都百图高新材料科技有限公司;上海百图高新材料科技有限公司,未经雅安百图高新材料股份有限公司;成都百图高新材料科技有限公司;上海百图高新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310327150.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。