[发明专利]微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法及其应用在审
| 申请号： | 202310330648.4 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116297401A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高磊;张衡;屈庆源;王青松;吴海红 | 申请（专利权）人： | 苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;H01L31/072;H01L31/0745;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 向薇 |
| 地址： | 215200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜 沉积 工艺 研究 方法 及其 应用 | ||
1.一种微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：准备多个衬底；
S2：在相同工艺条件下，在所述多个衬底上沉积一定厚度的本征氢化非晶硅膜层，形成测试基底；
S3：分别在不同工艺条件下，在多个所述测试基底沉积相同厚度的待研究微晶硅薄膜，形成多个测试样品；
S4：将多个所述测试样品作为拉曼基底进行拉曼光谱测试，得到不同工艺条件下对应的微晶硅薄膜晶化率数据，进而获得晶化率较佳的微晶硅薄膜沉积工艺。
2.根据权利要求1所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述本征氢化非晶硅膜的厚度为2nm～20nm。
3.根据权利要求1所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述待研究微晶硅薄膜的厚度为5nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底或抛光硅片衬底。
5.根据权利要求4所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底时，所述玻璃衬底的厚度为200μm～1000μm。
6.根据权利要求4所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述衬底为抛光硅片衬底时，所述抛光硅片衬底的厚度为100μm～300μm。
7.根据权利要求2所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述衬底为抛光硅片衬底时，在衬底上沉积本征氢化非晶硅膜层的厚度为8nm～20nm。
8.根据权利要求2所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底时，在衬底上沉积本征氢化非晶硅膜层的厚度为2nm～15nm。
9.根据权利要求1所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，其特征在于，所述拉曼光谱测试中选用的波长为325nm。
10.权利要求1～9任一项所述的微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法在异质结太阳能电池中的应用。
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