[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310331152.9 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116505373A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 姜驰;王磊;范纲维;曾评伟 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的底部DBR层、多量子阱层和顶部DBR层，在所述顶部DBR层背离所述多量子阱层的一侧设置具有出光孔的接触金属，在所述接触金属上设置有覆盖所述接触金属和所述出光孔的MXene薄膜，在所述MXene薄膜上设置有适配所述出光孔的顶部电极，所述MXene薄膜为Ti2CTx薄膜。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述MXene薄膜满足：d＝kλ/4n，其中，d为所述MXene薄膜的厚度，n为所述MXene薄膜的折射率，λ为所述半导体激光器的波长，k＝2n+1。
3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，在所述顶部DBR层靠近所述多量子阱层的一侧形成具有氧化限制孔的氧化层，所述氧化限制孔与所述出光孔对应。
4.如权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，在所述顶部DBR层内形成具有电流限制孔的离子注入区，所述电流限制孔的孔径小于所述氧化限制孔的孔径。
5.一种半导体激光器制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上外延生长外延结构，所述外延结构包括依次层叠于所述衬底上的底部DBR层、多量子阱层和顶部DBR层；
在所述顶部DBR层背离所述多量子阱层的一侧形成具有出光孔的接触金属；
在所述接触金属上旋涂MXene薄膜，所述MXene薄膜覆盖所述接触金属和所述出光孔，所述MXene薄膜为Ti2CTx薄膜；
在所述MXene薄膜上形成有适配所述出光孔的顶部电极。
6.如权利要求5所述的半导体激光器制备方法，其特征在于，所述MXene薄膜满足：d＝kλ/4n，其中，d为所述MXene薄膜的厚度，n为所述MXene薄膜的折射率，λ为所述半导体激光器的波长，k＝2n+1。
7.如权利要求5所述的半导体激光器制备方法，其特征在于，在所述在衬底上外延生长外延结构之后，所述方法还包括：
通过台面刻蚀在所述衬底上形成台面；
通过侧向氧化在所述顶部DBR层靠近所述多量子阱层的一侧形成具有氧化限制孔的氧化层，所述氧化限制孔与所述出光孔对应。
8.如权利要求7所述的半导体激光器制备方法，其特征在于，在所述通过侧向氧化在所述顶部DBR层靠近所述多量子阱层的一侧形成具有氧化限制孔的氧化层之后，所述方法还包括：
通过侧向离子注入在所述顶部DBR层内形成具有电流限制孔的离子注入区，所述电流限制孔的孔径小于所述氧化限制孔的孔径。
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