[发明专利]光子晶体激光器

权利要求书

1.一种光子晶体激光器，其特征在于，包括：

衬底(2)，依次叠设于所述衬底(2)上的N型限制层(3)、N型波导层(4)、有源层(5)、P型波导层(6)、P型限制层(7)、绝缘层(8)、欧姆接触层(9)以及P面电极层(10)；

其中，在沿腔长方向的两面分别设置反射率均为0％的第一膜层和第二膜层，用于抑制光波模式在腔长方向形成振荡；在所述沿腔长方向的两面相邻的两侧面，一个侧面设置反射率为0％-10％的第三膜层，另一个侧面设置反射率为90％-100％的第四膜层，用于光波模式在侧面方向形成振荡。

2.根据权利要求1所述的光子晶体激光器，其特征在于，所述P型限制层(7)被腐蚀部分结构形成凸棱，在所述凸棱两侧叠设有所述绝缘层(8)；所述欧姆接触层(9)被腐蚀部分结构，覆盖于所述凸棱的表面。

3.根据权利要求2所述的光子晶体激光器，其特征在于，所述凸棱的宽度为5μm-300μm。

4.根据权利要求2所述的光子晶体激光器，其特征在于，所述凸棱呈周期性设置，其中，周期数目大于2，周期间距大于100μm。

5.根据权利要求1所述的光子晶体激光器，其特征在于，光子晶体激光器的腔长长度为0.5mm-6mm，侧向长度为0.5mm-1mm；其中，设置腔长方向的长度大于侧向长度。

6.根据权利要求1所述的光子晶体激光器，其特征在于，衬底(2)远离所述N型限制层(3)的一面还设置有N面电极层(1)；N面电极层(1)以及P面电极层(10)的制备采用热蒸发或磁控溅射技术。

7.根据权利要求1所述的光子晶体激光器，其特征在于，所述第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层的材料均可以采用TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、SiO₂、Al₂O₃中的任一种。

8.根据权利要求1所述的光子晶体激光器，其特征在于，在所述第三膜层上设置钝化层，用于提高光子晶体激光器的增透膜腔面的阈值损伤功率；其中所述钝化层的材料可以采用AlN、GaAs中的任一种。

9.根据权利要求1所述的光子晶体激光器，其特征在于，所述衬底(2)的材料可以采用GaAs、InP、GaN、GaSb中的任一种。

10.根据权利要求6所述的光子晶体激光器，其特征在于，所述N面电极层的材料采用AuGeNiAu；所述P面电极层的材料可以采用TiPtAu、AuZnAu、CrAu中的任一种。