[发明专利]一种用于背封硅片的装置

权利要求书

1.一种用于背封硅片的装置，其特征在于，所述装置包括用于将反应气体供应至所述硅片以在所述硅片上生长背封膜的反应气体供应单元，所述反应气体供应单元构造成使得供应至所述硅片的中心区域的反应气体的第一流速大于供应至所述硅片的边缘区域的反应气体的第二流速。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反应气体供应单元包括第一筒体和围绕所述第一筒体的第二筒体，反应气体经由所述第一筒体限定出的第一通道供应至所述硅片的中心区域并且经由所述第一筒体和所述第二筒体之间形成的第二通道供应至所述硅片的边缘区域。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括围绕所述第二筒体的第三筒体，所述第二筒体和所述第三筒体之间形成第三通道，保护性气体经由所述第三通道朝向所述硅片供应。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述装置还包括围绕所述第三筒体的第四筒体，所述第四筒体和所述第三筒体之间形成第四通道，供应的反应气体和保护性气体经由所述第四通道远离所述硅片被抽吸。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述反应气体供应单元还包括第一流速调节器和第二流速调节器，所述第一流速调节器用于对流经所述第一通道的反应气体的流速进行调节，所述第二流速调节器用于对流经所述第二通道的反应气体的流速进行调节。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括用于传送所述硅片的传送带，所述传送带配置成将所述硅片传送至与所述反应气体供应单元相对的相对位置处并使所述硅片保持在所述相对位置处所需要的背封膜的生长时间后将所述硅片传送离开所述相对位置处。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述反应气体供应单元的出口与处于所述相对位置的所述硅片之间的间距小于10cm，并且所述反应气体供应单元的出口构造成使得能够将反应气体直接供应至所述硅片的生长所述背封膜的整个表面。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括多个托盘，所述多个托盘以沿着所述传送带的传送方向排列的方式搁置在所述传送带上以被所述传送带传送，每个托盘用于承载单个所述硅片。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，所述反应气体包括体积比介于1：10至1：5之间的四氢化硅和氧气。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括用于加热所述硅片的加热单元。