[发明专利]一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置及方法

权利要求书

1.一种均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，包括：振动单元、下放电单元、控制单元、上放电单元和升降单元；

所述振动单元包括振动基座(14)、弹簧(12)、振动平面(26)和振动电机(17)，所述振动基座(14)与所述振动平面(26)通过若干弹簧(12)连接，所述振动电机(17)驱动所述振动平面(26)振动；

所述下放电单元包括下放电电极(23)和下介质层(25)，所述下介质层(25)位于所述下放电电极(23)的上表面；

所述上放电单元包括上放电电极(21)和上介质层(20)，所述上介质层(20)位于所述上放电电极(21)下表面，所述上介质层(20)与所述下介质层(25)相对设置；

所述升降单元与所述上放电单元连接，用于控制所述上放电单元上下运动；

所述控制单元与所述振动电机(17)连接，用于控制振动电机(17)的工作。

2.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述振动单元还包括弹簧限位柱(13)，所述振动平面(26)的下表面以及所述振动基座(14)的上表面上均设有若干弹簧限位柱(13)，所述弹簧(12)的两端分别于所述弹簧限位柱(13)连接。

3.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述升降单元包括升降底座(30)、升降台(27)、升降斜面(29)、固定销(8)、固定杆(31)和旋转基座(28)；

所述旋转基座(28)位于所述升降底座(30)的上表面，所述旋转基座(28)与所述升降底座(30)能够相对转动，所述升降斜面(29)位于所述旋转基座(28)的上表面，所述升降台(27)底部设有第一斜面，所述第一斜面与所述升降斜面(29)的斜面相切，所述升降台(27)固定于固定杆(31)，所述旋转基座(28)旋转能够使所述升降台(27)上升或者下降。

4.根据权利要求3所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述升降单元还包括固定销(8)和升降调节壳(6)，所述升降调节壳(6)与所述旋转基座(28)固连，所述升降底座(30)上设有若干卡槽(7)，所述固定销(8)安装于所述升降调节壳(6)上的滑槽内，所述固定销(8)能够相对于滑槽滑动并伸入至卡槽(7)内，固定所述升降调节壳(6)与所述升降底座(30)的相对位置。

5.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述上介质层(20)和下介质层(25)均为石英玻璃制成。

6.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述上放电电极(21)上设置有多层散热片。

7.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述下放电单元还包括下固定器(22)和下固定胶圈(24)，所述下固定器(22)设置在所述下放电电极(23)和下介质层(25)的外侧，所述下固定胶圈(24)紧套于所述下固定器(22)上。

8.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述振动电机(17)的激振力通过如下方程确定：

式中H_D为所需激振力；f为弹簧阻尼力系数；ω_k为系统固有频率；ω为振动单元的振动频率。

9.根据权利要求1所述的均匀处理颗粒物料的介质阻挡放电等离子体处理装置，其特征在于，所述振动电机(17)的个数为两个，两个所述振动电机(17)对称设置于振动平面(26)的下方，且均与所述振动平面(26)连接。

10.一种颗粒物料均匀加工的介质阻挡放电等离子体处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：根据需求确定振动参数并确定振动单元的振动频率ω；

步骤2：根据要求选用合适的振动电机和振动弹簧；

步骤3：将待处理的颗粒物料平铺于下介质板(25)上，通过升降单元调节上放电电极(21)和下放电电极(23)之间的距离；

步骤4：启动振动电机(17)，使得颗粒物料脱离下介质板(25)发生翻滚；

步骤5：完成处理后关闭振动电机(17)，取出物料。