[发明专利]一种钙钛矿太阳电池n/i界面的修饰方法

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳电池，包括透明导电衬底、电子传输层、n/i界面修饰层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极，其特征在于，

所述n/i界面修饰层为甲酸甲脒材料（简称FAFa），所述甲酸甲脒材料分子结构为；

所述钙钛矿太阳电池为常规钙钛矿太阳电池，所述n/i界面修饰层制备在电子传输层与钙钛矿活性层中间。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述n/i界面修饰层FAFa的制备方法包括以下步骤：

S1：分别用精密天平称取1-20 mg的甲酸甲脒材料溶于1 mL的有机溶剂中直至完全溶解，配备出不同浓度的FAFa溶液进行比较；所述有机溶剂包括但不限于IPA；

S2：将配制好的FAFa溶液以1000-4000 rpm的转速旋涂于制备好的电子传输层上20-60s，并在80-150℃退火5-20 min。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，FAFa修饰可有效提高器件的短路电流、开路电压、填充因子、光电转换效率等光伏参数。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，FAFa能有效降低电子传输层SnO₂薄膜的表面粗糙度，更容易在其上沉积得到高质量的钙钛矿薄膜。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，FAFa能显著减少电子传输层SnO₂薄膜表面缺陷，达到提高电子传输层导电率的效果。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，FAFa界面修饰能够通过调节生长过程，获得高质量的钙钛矿薄膜，使得钙钛矿薄膜底表面的孔隙减少、表界面的粗糙度降低，同时钙钛矿结晶质量也有所提升。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，FAFa界面修饰能够在n/i界面处构造化学桥从而调高界面接触性能。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，FAFa界面修饰能够有效减少钙钛矿薄膜中的缺陷密度，抑制非辐射复合。