[发明专利]一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法及其应用

权利要求书

1.一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，所述位移传感器为电涡流位移传感器；位移传感器的内置电压-位移曲线，该曲线可表述为：S=tV+w；V为位移传感器的输出电压，S表示根据输出电压V得到的位移，t、w为相关参数，为已知量；

包括如下步骤：

S1，对位移传感器进行测量，得到在真实位移距离S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7下对应的输出电压为V[1]、V[2]、V[3]、V[4]、V[5]、V[6]、V[7]；

S2，位移传感器在实际使用时，其输出电压为V，按照如下方法得到输出电压的校准值J：

当V≤V[2]，J=V+（M[2]-M[1]）×（V-V[1]）/（V[2]-V[1]）+M[1]；

当V[2]＜V≤V[3]，J=V+（M[3]-M[2]）×（V-V[2]）/（V[3]-V[2]）+M[2]；

当V[3]＜V≤V[4]，J=V+（M[4]-M[3]）×（V-V[3]）/（V[4]-V[3]）+M[3]；

当V[4]＜V≤V[5]，J=V+（M[5]-M[4]）×（V-V[4]）/（V[5]-V[4]）+M[4]；

当V[5]＜V≤V[6]，J=V+（M[6]-M[5]）×（V-V[5]）/（V[6]-V[5]）+M[5]；

当V[6]＜V，J=V+（M[7]-M[6]）×（V-V[6]）/（V[7]-V[6]）+M[6]；

其中：

M[1]=（S1-w）/t-V[1]；

M[2]=（S2-w）/t-V[2]；

M[3]=（S3-w）/t-V[3]；

M[4]=（S4-w）/t-V[4]；

M[5]=（S5-w）/t-V[5]；

M[6]=（S6-w）/t-V[6]；

M[7]=（S7-w）/t-V[7]；

S3,根据J得到位移：

S=tJ+w。

2.根据权利要求1所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S1的取值范围为0.48mm～0.52mm，S7的取值范围为0.78mm～0.82mm。

3.根据权利要求2所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S1=0.5mm，S7=0.8mm。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S2=（S7-S1）/6+S1。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S3=（S7-S1）/3+S1。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S4=（S7-S1）/2+S1。

7.根据权利要求1或2或3所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S5=2（S7-S1）/3+S1。

8.根据权利要求1或2或3所述的一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法，其特征在于，S6=5（S7-S1）/6+S1。

9.一种磁悬浮分子泵位移传感器的校准方法的应用，其特征在于，磁悬浮分子泵对应的每一组位移传感器均采用如权利要求1所述的方法进行校准。