[发明专利]一种低熔点声透镜合金材料及其在制备聚焦声透镜换能器中的应用在审
| 申请号： | 202310364787.9 | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116536534A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 戚青丽;廉国选;陈秋颖;周雨轩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C1/10;B23K35/26 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 杨小蓉;陈琳琳 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 透镜 合金材料 及其 制备 聚焦 换能器 中的 应用 | ||
1.一种低熔点声透镜合金材料，其特征在于，所述低熔点声透镜合金材料包括：铋铟锡基材料和掺杂剂；所述掺杂剂至少包括B、Co、Cr、Si、Y、Ti、V、Ge、Be、Mn、Zn、Nb、Ta、W和Al的氧化物中的一种。
2.根据权利要求1所述的低熔点声透镜合金材料，其特征在于，所述铋铟锡基材料为铋铟锡锌或铋铟锡锶。
3.根据权利要求1或2所述的低熔点声透镜合金材料，其特征在于，所述铋铟锡基材料与掺杂剂的质量比范围为5:1～20:1。
4.根据权利要求1所述的低熔点声透镜合金材料，其特征在于，所述掺杂剂为粉末颗粒，颗粒粒径范围为0.1μm～6μm。
5.根据权利要求1所述的低熔点声透镜合金材料，其特征在于，所述铋铟锡基材料的熔点范围为6～120℃，声阻抗范围为10～30MRayl，声速范围为2166～3100m/s，声衰减范围为0.17～0.3dB/mm@4MHz。
6.权利要求1-5之一所述低熔点声透镜合金材料在制备聚焦声透镜换能器中的应用。
7.一种聚焦声透镜换能器，所述聚焦声透镜换能器包括：背衬层(1)、压电晶片(2)、匹配层(3)和声透镜(4)，其特征在于，所述声透镜(4)使用权利要求1-5之一所述低熔点声透镜合金材料浇注而成。
8.根据权利要求7所述的聚焦声透镜换能器，其特征在于，所述声透镜(4)的制备方法包括以下步骤：
将铋铟锡基材料熔化，并与掺杂剂混合均匀，再进行浇注固化，获得声透镜(4)。
9.根据权利要求8所述的聚焦声透镜换能器，其特征在于，所述声透镜(4)为球面或者柱面聚焦。
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