[发明专利]一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法在审

专利信息
申请号: 202310365670.2 申请日: 2023-04-07
公开(公告)号: CN116210592A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 纠松涛;张才喜;胥杰明;杨琪;刘瑞娥;王世平;王磊;徐岩;吕正鑫;王雨萱 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 成都乐易联创专利代理有限公司 51269 代理人: 赵何婷
地址: 200000 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 大樱桃 砧木 克雷姆斯克 组织培养 快速 繁殖 方法
【说明书】:

发明公开了一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法,该方法以0.1%的HgCl2溶液进行灭菌处理,采用WPM+6‑BA0.2mg/L+IBA0.02mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L作为初代培养基,采用WPM+6‑BA0.3mg/L+IBA0.03mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L增殖培养基,采用WPM+0.05mg/L IAA+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L生根培养基,最后以机质和蛭石为介质增强根系,大大提高了移栽存活率。

技术领域

本发明属于植物人工繁殖技术领域,尤其涉及一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法。

背景技术

樱桃组织培养技术是利用樱桃的茎尖、茎段、子叶、根尖、种子和花器官等外植体都可以诱导出植株;始于20世纪70年代末,经过20多年的研究发现,野生樱桃外植体的最佳接种时间为4~5月,在试管苗移栽前应用无激素的液体培养或固体培养效果都很好,器官中茎段培养外植体的增殖系数最好。

山东省果树研究所从吉塞拉6实生苗中选出可育的四倍体品种,其生长势比吉塞拉6强,大樱桃的矮化栽培技术研究已有重大突破,吉塞拉系列特别是吉塞拉5号、吉塞拉6号矮化砧适应性广,矮化性强,表现突出,用其嫁接的甜樱桃表现树体矮化、结果早、抗病能力强,是优良的樱桃矮化砧木。但是,因此吉塞拉6为三倍杂交体,其生根率低,无法进行自然繁殖,进而无法大量推广;并且在西北等地区生长情况明显次于南方。

克雷姆斯克5号砧木是由俄罗斯育成的半矮化砧木,与“吉塞拉6”相比,该砧木早产性和丰产性稍差,但土壤适应性广,抗寒性能好,目前,勃艮第珍珠、珊瑚香槟、黑珍珠等世界有名的大樱桃都适合这种砧木,所以研究出一种能够让其快速繁殖的体系后,将能够投入大规模的生产,可以带来极大的经济效益。

发明内容

本发明的目的在于提供一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法,该方法通过组织培养出适合克雷姆斯克5号砧木的樱桃外植体,并能实现根系繁殖,且适合大部分的土壤和气候。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法,包括如下步骤:

(1)外植体的选择

选取4月初克雷姆斯克5号樱桃树的新稍或者带腋芽的未木质茎段,并将茎段剪切成带芽的3~5cm小段,并将其存放在温度为4℃环境中;

采用洗洁精溶液对带芽的小段浸泡8min,然后采用纱布将浸泡后的小段包覆后在流动水下冲洗5min,然后再转移到无菌环境中,采用0.1%的HgCl2溶液振荡8min,并采用无菌水冲洗3次后获得外植体;

(2)初代培养

将外植体垂直接入初代培养基WPM+6-BA0.2mg/L+IBA0.02mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L中,每瓶接种1株,然后放入培养室中进行培养,培养条件温度20~26℃,每天光照10~12小时和光照强度为800~1000lx的条件下培养4周,获取分化苗;

(3)继代培养

选取健康、生长良好的初代组分化苗,剪切后接种到增殖培养基WPM+6-BA0.3mg/L+IBA0.03mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L上进行继代增殖,每瓶接种1株;然后放入培养室中进行培养,培养条件为温度20~26℃,每天光照10~12小时和光照强度为800~1000lx,培养4周,获取继代苗;

(4)生根培养

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