[发明专利]一种硅基光电器件单片集成方法在审
| 申请号： | 202310371075.X | 申请日： | 2023-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN116598387A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 胡浩;柳俊;向诗力 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/28;H01L33/18 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 器件 单片 集成 方法 | ||
1.一种硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，包括如下步骤：
在硅衬底上形成光子隔离层；
在所述光子隔离层上沉积非晶硅层；
对所述非晶硅层进行激光退火，使所述非晶硅层表层晶化为多晶硅层；
在所述非晶硅层制备光无源器件；
在所述多晶硅层制备光有源器件。
2.根据权利要求1所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，所述光子隔离层的制备方法为CVD、PVD、ALD中的一种。
3.根据权利要求1所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，所述沉积非晶硅层采用化学气相沉积法。
4.根据权利要求3所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，所述化学气相沉积法使用硅烷作为硅源，沉积温度为100～600℃。
5.根据权利要求1所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，所述激光退火采用纳秒脉冲或连续激光，激光波长小于400nm，能量密度为300～500mJ/cm2，光脉冲频率为400～500Hz。
6.根据权利要求1所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为100～3000nm，所述多晶硅层的厚度为10～200nm。
7.根据权利要求1所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，还包括，在所述激光退火前对所述非晶硅层进行低温退火除氢处理。
8.根据权利要求7所述的硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，所述低温退火为在氮气氛围下500～600℃处理8～12小时。
9.权利要求1～8任一项所述的硅基光电器件单片集成方法制备的光电器件。
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