[发明专利]一种兼容宽电压输出的恒流驱动电路在审
申请号: | 202310379719.X | 申请日: | 2023-04-11 |
公开(公告)号: | CN116225131A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 陈都 | 申请(专利权)人: | 依百半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兼容 电压 输出 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种兼容宽电压输出的恒流驱动电路,包含驱动输入模块、驱动输出模块与反馈模块,所述的驱动输入模块包含第一MOS管M1与第二MOS管M2;所述的反馈模块包含第一运算放大器U1,所述第一运算放大器U1的同向输入端连接所述第三MOS管M3的漏极,所述第一运算放大器U1的反向输入端连接所述第一MOS管M1的源极与所述第二MOS管M2的漏极,所述第一运算放大器U1的输出端连接所述第一MOS管M1的栅极,本发明可以扩展输出端工作电压的范围且在达到同样的驱动电流(输出电流)下,可以有效的减小驱动管的面积。
技术领域
本发明涉及一种恒流驱动技术领域,特别是涉及一种兼容宽电压输出的恒流驱动电路。
背景技术
恒流驱动电路广泛应用在模拟电路中,恒流源电路主要有两种作用,一种是作为负载,因为恒流源电路的交流输出电阻大,有利于提高放大器的增益;另一种是提供偏置电流并镜像放大。如图1所示,左边提供一个偏置电流ib,输出Iout是偏置电流的镜像,一般情况下,Iout是ib的N倍,因为第八MOS管M8是第七MOS管M7放大倍数的N倍。为了进一步提高输出阻抗,图1中引入了运算放大器U3。
但是输出电压降低导致恒流性能退化的问题依然没有解决,尤其是在输出端电压比较低的时候,性能将急剧退化,很难适用于高性能的场合。
发明内容
针对以上现有技术的不足,本发明公开了一种兼容宽电压输出的恒流驱动电路,本技术方案可以在输出端电压比较低的时候保证恒流驱动电路性能不会退化,因此扩展了输出端工作电压的范围,从而使其能够在高性能场合应用。
本发明技术方案具体如下:
一种兼容宽电压输出的恒流驱动电路,包含驱动输入模块、驱动输出模块与反馈模块。
在更进一步的技术方案中,所述的驱动输入模块包含第一MOS管M1与第二MOS管M2,所述第一MOS管M1的源极连接所述第二MOS管M2的漏极, 所述第二MOS管M2的源极接地,所述第一MOS管M1的漏极与所述第二MOS管M2的栅极连接偏置电流端。
所述的驱动输出模块包含第三MOS管M3,所述第三MOS管M3的栅极与所述第二MOS管M2的栅极连接,所述第三MOS管M3的源极接地。
所述的反馈模块包含第一运算放大器U1,所述第一运算放大器U1的同向输入端连接所述第三MOS管M3的漏极,所述第一运算放大器U1的反向输入端连接所述第一MOS管M1的源极与所述第二MOS管M2的漏极,所述第一运算放大器U1的输出端连接所述第一MOS管M1的栅极。
在可替代的技术方案中,所述的驱动输出模块还包含第四MOS管M4,所述第四MOS管M4的源极连接所述第三MOS管M3的漏极,所述第四MOS管M4的栅极连接偏置电压端, 所述第四MOS管M4的漏极为驱动输出端。
在可替代的技术方案中,所述的驱动输出模块还包含第二运算放大器U2。
具体地,所述的第二运算放大器U2的同向输入端连接偏置电压端,反向输入端连接所述第三MOS管M3与第四MOS管M4的公共端,所述第二运算放大器U2的输出端连接所述第四MOS管M4的栅极。
在可替代的技术方案中,所述的驱动输出模块还包含第五MOS管M5。
具体地,所述的第五MOS管M5的漏极与所述第四MOS管M4的栅极连接并共同连接偏置电流端,所述的第五MOS管M5的源极接地,所述的第五MOS管M5的栅极连接所述第三MOS管M3与第四MOS管M4的公共端。
进一步地,所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4与第五MOS管M5为NMOS管,或所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4与第五MOS管M5为PMOS管。
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