[发明专利]SOI自热效应的测量结构及测量方法

权利要求书

1.一种SOI自热效应的测量结构，其特征在于，包括：SOI衬底，位于所述SOI衬底上的SOI器件，以及位于所述SOI器件两侧的所述SOI衬底内的多个电阻，多个所述电阻从靠近所述SOI器件的区域依次排列至远离所述SOI器件的区域。

2.根据权利要求1所述的SOI自热效应的测量结构，其特征在于，所述SOI器件包括MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于所述SOI衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的所述SOI衬底内的源极与漏极。

3.根据权利要求2所述的SOI自热效应的测量结构，其特征在于，所述电阻内具有与所述源极或所述漏极相同的注入离子。

4.根据权利要求2所述的SOI自热效应的测量结构，其特征在于，所述电阻的截面呈长方形，长方形的长边方向与所述栅极的延伸方向相同；在所述电阻的两端设置有连接垫。

5.根据权利要求1所述的SOI自热效应的测量结构，其特征在于，多个所述电阻规则排列于所述SOI器件的两侧。

6.根据权利要求1所述的SOI自热效应的测量结构，其特征在于，所述测量结构还包括隔离结构，所述隔离结构位于所述SOI器件的两侧，与所述SOI衬底内的埋入氧化层相连接；所述电阻位于相邻两个所述隔离结构之间的所述SOI器件的两侧。

7.一种SOI自热效应的测量方法，其特征在于，采用如权利要求1至6中任一项所述的SOI自热效应的测量结构进行测量，所述测量方法包括：

断开SOI器件，测量不同温度下电阻的阻值，得到电阻温度系数；

导通所述SOI器件，测量室温下所述电阻的阻值；

根据室温下所述电阻的阻值与所述电阻温度系数计算所述电阻的温度；

根据各位置处的所述电阻的阻值与温度得到温度与位置的关系式。

8.根据权利要求7所述的SOI自热效应的测量方法，其特征在于，断开SOI器件，测量不同温度下任意一个所述电阻的阻值，得到电阻温度系数。

9.根据权利要求7所述的SOI自热效应的测量方法，其特征在于，导通所述SOI器件，测量室温下所有的所述电阻的阻值。

10.根据权利要求7所述的SOI自热效应的测量方法，其特征在于，根据各位置处的所述电阻的阻值与温度，得到温度与位置的关系式的方法包括：对温度与位置进行数据拟合得到温度与位置的关系式。