[发明专利]一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法

权利要求书

1.一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，包括：

S1：清理AlGaInP基红色LED的晶圆表面的油污；

S2：利用等离子体增强化学沉积，在所述晶圆的表面沉积预设厚度的二氧化硅；

S3：将稀释的光刻胶涂覆在所述晶圆表面，在第一预设温度下烘烤；

S4：利用干涉曝光，对所述晶圆进行第一次曝光，调整所述晶圆角度，再对调整角度后的所述晶圆进行第二次曝光；

S5：将第二次曝光后的所述晶圆，在第二预设温度下烘烤，使所述光刻胶在所述晶圆表面形成半球形阵列图形；

S6：利用等离子体刻蚀，将半球形阵列图形的所述光刻胶转移至所述二氧化硅上；

S7：利用LED制备方法，在具有所述二氧化硅的所述AlGaInP基红色LED外延的顶部和底部分别制作电极，以及隔离沟道。

2.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S2中，所述二氧化硅的预设厚度为250～350nm。

3.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，

所述S3中，

稀释的光刻胶包括光刻胶以及正胶稀释液，其中，所述光刻胶与所述正胶稀释液的比例为1∶4。

4.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，

所述S3中，

所述第一预设温度为80～95℃；所述第一预设温度下烘烤的时间为55～65S。

5.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S4包括：

S41：利用激光干涉光刻系统，射出两束强度相同的355nm激光束，汇聚在样品台，构成激光束汇聚区域，所述激光束汇聚区域在所述样品台上形成200～800nm周期的光束分布；

S42：将S3中得到的所述晶圆置于所述激光束汇聚区域，进行时长为90～100S的所述第一次曝光；

S43：旋转所述晶圆90°，进行时长为90～100S的所述第二次曝光。

6.根据权利要求5所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，

所述第一次曝光，在所述晶圆表面形成第一方向的第一阵列图案；

所述第二次曝光，在所述晶圆表面形成第二方向的第二阵列图案，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述第一阵列图案和所述第二阵列图案组合，在所述晶圆表面形成纳米周期点阵列的阵列图形。

7.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S5中，

所述第二预设温度为145～155℃。

8.根据权利要求1所述的提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法，其特征在于，所述S5中，

所述第二预设温度下烘烤的时长为55～65S。