[发明专利]提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构、方法及结构制备方法

权利要求书

1.一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构，其特征在于：

包括衬底(1)；

位于衬底(1)上表面的外延层(2)；

位于外延层(2)上表面的K个沟槽(3)，K为大于等于2的整数；

位于K个沟槽(3)内相应的K个底部氧化层(4)，所述底部氧化层(4)为凹槽结构；

位于K个底部氧化层(4)凹槽结构内相应的K个源极多晶(5)，所述源极多晶(5)的上表面低于底部氧化层(4)的上表面；

位于K个底部氧化层(4)上表面的K个中间氧化层(6)；

位于K个中间氧化层(6)上表面相应的K个栅氧化层(7)，所述栅氧化层(7)为凹槽结构；所述K个中间氧化层(6)和K个栅氧化层(7)均位于相应的沟槽(3)内；

分别位于K个栅氧化层(7)凹槽结构内相应的M个第一栅极(8-1)和(K-M)个第二栅极(8-2)，其中，M个第一栅极(8-1)之间电连接，(K-M)个第二栅极(8-2)之间电连接，且M个第一栅极(8-1)和(K-M)个第二栅极(8-2)呈比例交错设置；

位于K个栅氧化层(7)两侧的(K+1)个阱区(9)，所述阱区(9)的底部不低于第一栅极(8-1)和第二栅极(8-2)的底部；

位于阱区(9)上表面的源区(10)；

位于源区(10)、第一栅极(8-1)和第二栅极(8-2)上表面的介质层；

位于介质层上且对应各源区(10)的(K+1)个源极接触孔(11)，所述源极接触孔(11)的下端与相应的阱区(9)接触；

位于介质层上表面且与源极接触孔(11)连接的源极(12)；

以及位于衬底(1)下表面的漏极(13)。

2.根据权利要求1所述的一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构，其特征在于：

所述衬底(1)、源区(10)为N+型，外延层(2)为N-型，阱区(9)为P型；

或者，所述衬底(1)、源区(10)为P+型，外延层(2)为P-型，阱区(9)为N型。

3.根据权利要求2所述的一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构，其特征在于：

所述M：(K-M)＝1：1，或者M：(K-M)＝1：2，或者M：(K-M)＝1：3。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构，其特征在于：

所述介质层包括由上至下设置的BPSG层和USG层。

5.一种提高器件抗浪涌能力的方法，基于权利要求1-4任一所述的一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构，M个所述第一栅极(8-1)与其对应的源极(12)和漏极(13)构成第一MOS管(M1)，(K-M)个所述第二栅极(8-2)与其对应的源极(12)和漏极(13)构成第二MOS管(M2)，其特征在于，包括以下步骤：

1】将第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)并联设置；

2】通电后监测当前是否存在浪涌电流；

若不存在浪涌电流，则控制第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)完全导通；

若存在浪涌电流，则控制第一MOS管(M1)完全导通，第二MOS管(M2)不完全导通或者关断，或者，控制第二MOS管(M2)完全导通，第一MOS管(M1)不完全导通或者关断。