[发明专利]低电场下高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷的可控制备方法

权利要求书

1.室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，包括：

根据预设计量比称取氧化铅、氧化钽及氧化钪粉体并充分混合，得到混合原料；

将所述混合原料进行煅烧处理及预烧处理，得到纯钙钛矿相钽钪酸铅粉体，有效降低烧结温度，提高陶瓷成品率；

对所述纯钙钛矿相钽钪酸铅粉体研磨造粒，并依次经陈化、过筛、成型、排塑处理，得到陶瓷胚体；

将所述陶瓷胚体在高温管式炉内直接烧结，得到室温低电场高储能钽钪酸铅陶瓷，随后进行退火处理，得到有序度可控的高电卡钽钪酸铅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述预设计量比为Pb(Sc_0.5Ta_0.5)O₃的化学计量比，且所述氧化铅的用量在所述化学计量比的基础上过量5-20wt％。

3.根据权利要求1所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述根据预设计量比称取氧化铅、氧化钽及氧化钪并混合，得到混合原料，包括：

根据预设计量比称取氧化铅、氧化钽及氧化钪，得到原料；

依次对所述原料进行湿法球磨混合处理及第一烘干处理，得到混合原料；

其中，所述湿法球磨混合处理的条件为：

球磨料、球磨介质及球磨溶剂的质量比为1：1.5-2.5：1.0-1.5；

球磨时间为24-48小时。

4.根据权利要求3所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述第一烘干处理的条件为：

100℃恒温干燥12-36小时。

5.根据权利要求1所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述煅烧处理的处理条件为：

以3-5℃/min升温速率升温至850-875℃，并保温2-4小时。

6.根据权利要求1所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述对所述纯钙钛矿相钽钪酸铅粉体研磨造粒，包括：

对所述钽钪酸铅粉体中加入粘结剂，进行研磨造粒处理得到研磨粉末；

对所述研磨粉末过筛处理；

其中，所述过筛处理的筛网目数为100-400目。

7.根据权利要求6所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述粘接剂为聚乙烯醇124型，所述聚乙烯醇124型的浓度为2-10wt％，所述聚乙烯醇加入量为粉体质量的5-10％。

8.根据权利要求1所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述将所述陶瓷胚体在高温管式炉内直接烧结的条件为：

以3-5℃/min升温速率升温至1300-1400℃，并保温2-4小时。

9.根据权利要求1所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法，其特征在于，所述退火处理的条件为：

以3-5℃/min升温速率升温至1000-1200℃，并保温50-200小时。

10.一种室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷，其特征在于，所述室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷利用权利要求1-9任一项所述的室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法制备而成。