[发明专利]一种基于腾珑E2000S的全国产BMC

权利要求书

1.一种基于腾珑E2000S的全国产BMC，其特征在于，所述全国产BMC包括：

腾珑E2000S芯片，所述腾珑E2000S芯片作为图形处理器，所述腾珑E2000S芯片的若干引脚作为所述图形处理器的对外接口连接到DDR3接口上；

GM5528芯片，所述GM5528芯片作为所述图形处理器的时钟芯片，用于将图形处理器的系统时钟、DP时钟和PCIe时钟进行了同源性统一；

CXDB5CCAM-MK芯片，按照LPDDR4协议连接所述CXDB5CCAM-MK芯片和所述腾珑E2000S芯片，以使所述CXDB5CCAM-MK芯片作为所述图形处理器的显存颗粒；

Flash内存芯片，按照QSPI协议连接所述Flash内存芯片和所述腾珑E2000S芯片，以使所述Flash内存芯片作为所述图形处理器的闪存；

供电电路，所述供电电路用于将DDR3接口上的3.3V供电转换后为所述腾珑E2000S芯片供电。

2.根据权利要求1所述的基于腾珑E2000S的全国产BMC，其特征在于，所述全国产BMC还包括：

GD32103TBU6芯片，所述GD32103TBU6芯片用于从主机端获取复位信号作为腾珑E2000S芯片的复位信号。

3.根据权利要求2所述的基于腾珑E2000S的全国产BMC，其特征在于，所述GD32103TBU6芯片中存储有寄存器配置信息；

所述GD32103TBU6芯片在所述图形处理器启动时通过SPI总线将所述寄存器配置信息写入GM5528芯片。

4.根据权利要求3所述的基于腾珑E2000S的全国产BMC，其特征在于，所述GD32103TBU6芯片还用于检测DDR3接口外部的下电电压，并在检测到下电以后输出PowerDown信号到所述供电电路。

5.根据权利要求4所述的基于腾珑E2000S的全国产BMC，其特征在于，所述供电电路包括：YJP1203芯片、SGM2306芯片、DIO7004芯片、DIO6083芯片和SGM2037芯片；

所述YJP1203芯片用于将DDR3接口上的3.3V供电转换成0.9V供电后输出，并输出第一PowerGood信号；

所述SGM2306芯片用于将DDR3接口上的3.3V供电转换成1.8V供电后输出，并输出第二PowerGood信号，以及所述SGM2306芯片的使能引脚连接所述第一PowerGood信号；

所述DIO7004芯片用于将DDR3接口上的3.3V供电转换成3.3V供电后输出，并输出第三PowerGood信号，以及所述DIO7004芯片的使能引脚连接所述第二PowerGood信号；

所述DIO6083芯片用于将DDR3接口上的3.3V供电转换成1.1V供电后输出，且所述DIO6083芯片的使能引脚连接所述第三PowerGood信号；

所述SGM2037芯片用于将DDR3接口上的3.3V供电转换成1.2V供电后输出，且所述SGM2037芯片的使能引脚连接所述第三PowerGood信号。

6.根据权利要求5所述的基于腾珑E2000S的全国产BMC，其特征在于，所述供电电路还包括作为与门的SGM7SZ08YN5G芯片；

所述SGM2306芯片输出的所述第二PowerGood信号和所述GD32103TBU6芯片输出的所述PowerDown信号分别连接到SGM7SZ08YN5G芯片的两个与门输入，所述SGM7SZ08YN5G芯片的与门输出连接到所述DIO7004芯片的使能引脚，以使所述PowerDown信号产生后所述DIO7004芯片先于所述SGM2306芯片下电。