[发明专利]体声波滤波器的制造方法、体声波滤波器、多工器及射频模组

权利要求书

1.一种体声波滤波器的制造方法，所述体声波滤波器包括器件晶圆、底电极、压电层和顶电极，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

S1：在所述器件晶圆上依次层叠设置所述底电极、所述压电层和所述顶电极，其中所述压电层覆盖所述底电极的一部分；

S2：在所述底电极和所述顶电极的远离所述器件晶圆的表面设置多个导电结构，其中，至少一个所述导电结构与所述底电极电连接，至少一个所述导电结构与所述顶电极电连接；

S3：提供基板，然后将所述导电结构倒装连接在所述基板上；

S4：将所述器件晶圆和所述导电结构包覆封装结构，所述封装结构与所述基板相连接，形成封装体，其中所述器件晶圆、多个所述导电结构和所述基板之间形成空腔结构；

S5：切割所述封装体，形成所述体声波滤波器。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S1中还包括以下步骤：

S101，在器件晶圆上开设凹槽，在所述凹槽内充满牺牲材料形成牺牲层；

S102，所述器件晶圆包括具有所述牺牲层的第一区域、在所述器件晶圆上的投影与所述牺牲层具有重叠部分的第二区域和在所述器件晶圆上的投影与所述第二区域具有重叠部分的第三区域，在所述第一区域形成所述底电极，在所述第二区域形成所述压电层，在所述第三区域形成所述顶电极；

S103，去除所述牺牲层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，步骤S102中，

在所述第一区域形成所述底电极包括：在器件晶圆表面沉积第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一暴露区域，所述第一暴露区域至少暴露所述牺牲层和所述牺牲层周边的所述器件晶圆，在所述第一暴露区域形成所述底电极，去除所述第一掩膜层；

在所述第二区域形成所述压电层包括：在所述器件晶圆和所述底电极的表面沉积第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二暴露区域，所述第二暴露区域至少暴露与所述牺牲层重叠的部分底电极，以及所述器件晶圆的靠近与所述顶电极电连接的所述导电结构的区域，在所述第二暴露区域形成所述压电层，去除所述第二掩膜层；

在所述第三区域形成所述顶电极包括：在所述器件晶圆、所述底电极和所述压电层的表面沉积第三掩膜层，所述第三掩膜层具有第三暴露区域，所述第三暴露区域至少暴露与所述底电极重叠的部分压电层，以及所述器件晶圆的靠近与所述顶电极电连接的所述导电结构的区域，在所述第三暴露区域形成所述顶电极，去除所述第三掩膜层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述体声波滤波器还包括布拉格反射层，所述布拉格反射层位于所述器件晶圆和所述底电极之间，所述布拉格反射层包括至少一个高声阻抗层和至少一个低声阻抗层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述低声阻抗层或所述高声阻抗层的厚度为(0.2-0.8)λ，其中λ为体声波滤波器响应的声波波长。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述高声阻抗层的材料包括钨、钼、铂及其合金以及氮化铝中的至少一种，所述低声阻抗层的材料包括二氧化硅。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述布拉格反射层覆盖所述器件晶圆的表面，所述布拉格反射层在所述基板上的投影面积与所述器件晶圆在所述基板上的投影面积相等，所述顶电极和所述底电极与所述布拉格反射层电连接。

8.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述布拉格反射层覆盖所述器件晶圆的部分表面，所述布拉格反射层在所述基板上的投影面积小于所述器件晶圆在所述基板上的投影面积，所述顶电极和所述底电极与所述器件晶圆电连接。