[发明专利]一种两端钙钛矿/晶硅叠层电池及其制备方法

权利要求书

1.一种两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，包括：

层叠且串联的晶硅电池和钙钛矿电池，所述钙钛矿电池包括第一栅线，所述第一栅线背离所述晶硅电池；

所述钙钛矿电池中具有贯穿所述钙钛矿电池的光传输口，所述光传输口与所述第一栅线间隔设置，所述光传输口未延伸至所述晶硅电池。

2.根据权利要求1所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，任意一个所述光传输口的横截面面积为80平方微米－4平方毫米。

3.根据权利要求1所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，所述光传输口的数量为若干个；若干个所述光传输口的总横截面面积占据所述晶硅电池面积的2.5％－18％。

4.根据权利要求1所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，所述第一栅线包括若干第一主栅线和若干第一细栅线，第一细栅线与第一主栅线连接，所述光传输口位于第一细栅线之间且位于第一主栅线之间。

5.根据权利要求4所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，在任意相邻的第一细栅线之间且在任意相邻的第一主栅线之间设置若干均匀分布的光传输口；

在任意相邻的第一细栅线之间且在任意相邻的第一主栅线之间的相邻的光传输口之间的距离为10微米－10毫米。

6.根据权利要求1所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，所述光传输口的横截面形状包括圆形、矩形或者正方形。

7.根据权利要求1所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，所述钙钛矿电池还包括：在背离所述晶硅电池的方向上依次排布的第一载流子传输层、光吸收层、第二载流子传输层和第一透明导电膜，所述第一栅线位于所述第一透明导电膜背离所述第二载流子传输层的一侧表面；

所述光传输口贯穿所述第一载流子传输层、光吸收层、第二载流子传输层和第一透明导电膜。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，还包括：位于所述钙钛矿电池和所述晶硅电池之间的共用透明导电膜；

所述光传输口贯穿所述共用透明导电膜；或，所述光传输口未延伸至所述共用透明导电膜；或，所述光传输口延伸至部分厚度的所述共用透明导电膜。

9.根据权利要求1至7任意一项所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其特征在于，所述晶硅电池的边缘与所述钙钛矿电池的边缘对齐。

10.一种两端钙钛矿/晶硅叠层电池的制备方法，其特征在于，包括：

形成层叠且串联的晶硅电池和钙钛矿电池，所述钙钛矿电池包括第一栅线，所述第一栅线背离所述晶硅电池；

在所述钙钛矿电池中形成贯穿所述钙钛矿电池的光传输口，所述光传输口与所述第一栅线间隔设置，所述光传输口未延伸至所述晶硅电池。

11.根据权利要求10所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池的制备方法，其特征在于，形成贯穿所述钙钛矿电池的光传输口的工艺包括：激光打孔工艺；

所述激光打孔工艺的参数包括：采用的激光的波长为500nm－600nm，激光的脉冲宽度为8皮秒－12皮秒，激光的频率为200Khz－10Mhz；

优选的，所述激光打孔工艺中，激光的光斑大小为25微米－35微米；

在形成任意一个光传输口的步骤中，所述激光先后照射在具有部分重叠面积的不同的光照射位置，多个具有部分重叠面积的光照射位置的重叠度为23.3％－80％。

12.根据权利要求10所述的两端钙钛矿/晶硅叠层电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一栅线的步骤包括：形成若干第一主栅线和若干第一细栅线，第一细栅线与第一主栅线连接；

在第一细栅线之间且在第一主栅线之间形成光传输口。