[发明专利]一种晶圆加热装置及晶圆处理设备在审
申请号: | 202310401992.8 | 申请日: | 2023-04-14 |
公开(公告)号: | CN116313928A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 无锡先为科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B6/36 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张俊珏;张静洁 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加热 装置 处理 设备 | ||
1.一种晶圆加热装置,用于晶圆处理设备,所述晶圆处理设备包括反应腔,所述反应腔内设有用于承载晶圆的基板,其特征在于,所述晶圆加热装置包含:
至少一个感应线圈,所述感应线圈包括多匝;
至少一个感应加热板,所述感应线圈感应加热所述感应加热板,所述晶圆加热装置通过所述感应加热板向晶圆提供热量,所述感应线圈包括正对所述感应加热板的第一区域;
至少一个调节块,所述调节块能拆卸地套设在所述感应线圈上,所述调节块配置为铁磁性材料或导电材料并位于所述第一区域内,以对所述感应线圈在所述感应加热板处的磁场分布的进行局部调节。
2.如权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述调节块包括第一调节块,所述第一调节块具有U型槽结构,所述第一调节块以U型槽的开口背向所述感应加热板的方式套设在所述感应线圈上;所述第一调节块减少所述感应加热板与所述第一调节块正对处的磁场强度。
3.如权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述调节块包括第二调节块,所述第二调节块至少包括第一部件及第二部件,所述第一部件和所述第二部件配合形成能够环绕所述感应线圈的中空柱状结构,所述第二调节块以环绕的方式套设在所述感应线圈上;所述第二调节块减少所述感应加热板与所述第二调节块正对处的磁场强度。
4.如权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述调节块包括第三调节块,所述第三调节块具有U型槽结构,所述第三调节块以U型槽的开口朝向所述感应加热板的方式套设在所述感应线圈上;所述第三调节块减小所述感应加热板与所述第三调节块正对处的磁场强度。
5.如权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,向所述感应线圈提供中高频交流电时,所述调节块采用导热导电材料;向所述感应线圈提供低频交流电时,所述调节块采用导热导磁材料。
6.如权利要求5所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述导热导电材料包含:铜、不锈钢中的一种或多种;所述导热导磁材料包含镍金属或铁镍合金。
7.如权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述感应加热板被被配置为所述基板,所述基板相对于所述感应线圈可旋转设置,以通过所述局部调节来改变所述基板的整体热量分布;所述感应线圈设置在所述反应腔内并设于所述基板下方。
8.如权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述调节块包括至少设于部分表面的绝缘层,以使所述调节块与所述感应线圈之间形成非电性连接;所述绝缘层的材料为AlN陶瓷、Al2O3陶瓷、SiC陶瓷、SiN陶瓷中的任一种或多种。
9.如权利要求7所述的晶圆加热装置,其特征在于,还包含转动轴;通过所述转动轴驱动所述基板绕基板中心轴旋转。
10.一种晶圆处理设备,其特征在于,包括:
反应腔,所述反应腔内设有如权利要求1至9任一所述的晶圆加热装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造