[发明专利]一种基于电阻膜的宽频超材料吸波体

权利要求书

1.一种基于电阻膜的宽频超材料吸波体，其特征在于，由正方形结构单元在xy平面内周期延拓而成；所述正方形结构单元包括由上到下依次设置的顶层电阻膜、上层介质层、中间层电阻膜、中间层介质层和金属背板；所述顶层电阻膜的图案为由两个十字交叉的全等椭圆形组成的中心对称图形；所述上层介质层、中间层电阻膜、中间层介质层和金属背板在xy平面的投影为同一正方形，所述正方形的边长与周期相等。

2.如权利要求1所述的宽频超材料吸波体，其特征在于，所述周期p为10-12mm。

3.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述椭圆形的长轴长a为8-9mm，短轴长b为2.4-2.8mm。

4.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述顶层电阻膜的方阻值z1为210-240Ω/sq。

5.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述中间层电阻膜的方阻值z2为135-140Ω/sq。

6.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述上层介质层材质为FR-4聚四氟乙烯，相对介电系数ε_r为4.3，损耗角正切tanθ为0.025。

7.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述中间层介质层材质为Arlon AD 250C，相对介电系数ε_r为2.5，损耗角正切tanθ为0.0013。

8.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述上层介质层厚度h1为1.3-1.35mm，所述中间层介质层的厚度h2为1.65-1.7mm。

9.如权利要求8所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述上层介质层的厚度h1和所述中间层介质层的厚度h2的和为3mm。

10.如权利要求1所述的宽频超材料吸收体，其特征在于，所述金属背板的材质为铜，所述金属背板的电导率δ＝5.96×10⁷S/m，所述金属背板的厚度为0.015-0.02mm。