[发明专利]栅极高侧驱动电路及系统

权利要求书

1.一种栅极高侧驱动电路，其特征在于，包括：

高侧驱动晶体管，所述高侧驱动晶体管的源极用于与第一电压源电连接，所述高侧驱动晶体管的漏极分别用于与功率开关器件和低侧驱动晶体管的漏极电连接；

驱动单元，与所述高侧驱动晶体管的栅极电连接，所述驱动单元用于控制所述高侧驱动晶体管的开关状态；

峰值电流调节单元，包括混合上拉模块，所述混合上拉模块与所述高侧驱动晶体管的漏极电连接，所述混合上拉模块用于将所述高侧驱动晶体管开启时的峰值电流拉高至预设值。

2.根据权利要求1所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述峰值电流调节单元包括上拉驱动模块，所述混合上拉模块的第一端用于与所述第一电压源电连接，所述混合上拉模块的第二端与所述上拉驱动模块电连接，所述混合上拉模块的第三端与所述高侧驱动晶体管的漏极电连接，所述上拉驱动模块用于驱动所述混合上拉模块。

3.根据权利要求2所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述混合上拉模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的源极与所述高侧驱动晶体管的漏极电连接，所述第一晶体管的漏极用于与所述第一电压源电连接，所述第一晶体管的栅极与所述上拉驱动模块电连接。

4.根据权利要求3所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述混合上拉模块还包括栅极保护电路，所述栅极保护电路的一端与所述高侧驱动晶体管的漏极电连接，所述栅极保护电路的另一端与所述第一晶体管的栅极电连接，所述栅极保护电路用于限制所述高侧驱动晶体管的漏极的电流。

5.根据权利要求4所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述栅极保护电路包括稳压二极管结构，所述稳压二极管结构的正极与所述高侧驱动晶体管的漏极电连接，所述稳压二极管结构的负极与所述第一晶体管的栅极电连接。

6.根据权利要求2所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述上拉驱动模块包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电流源、反相器和第一逻辑控制模块，所述第二晶体管的源极和所述第三晶体管的源极分别与所述第一电压源电连接，所述第二晶体管的栅极分别与所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的漏极电连接，所述第四晶体管的栅极分别与所述第一逻辑控模块的控制端和所述反相器的输入端电连接，所述第一逻辑控制模块的电源端与第二电压源电连接，所述反相器的输出端与所述第五晶体管的栅极电连接，所述第五晶体管的漏极分别与所述第三晶体管的漏极和所述混合上拉模块的第二端电连接，所述第四晶体管的漏极与所述第一电流源的第一端电连接，所述第一逻辑控制模块的接地端、所述第一电流源的第二端和所述第五晶体管的源极分别接地。

7.根据权利要求1所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述驱动单元包括第一控制模块、第二控制模块、高侧控制晶体管、第一偏置模块和第二偏置模块，所述第一控制模块的第一端与所述第一电压源电连接，所述第一控制模块的第二端分别与所述高侧驱动晶体管的栅极和所述高侧控制晶体管的源极电连接，所述第一控制模块的浮地端与所述第一偏置模块的第一端电连接，所述第一偏置模块的第二端与所述第二偏置模块的第一端电连接，所述第二偏置模块的第二端与所述高侧控制晶体管的栅极电连接，所述第二控制模块与所述高侧控制晶体管的漏极电连接。

8.根据权利要求7所述的栅极高侧驱动电路，其特征在于，所述第一控制模块包括第六晶体管和第二逻辑控制模块，所述第六晶体管的源极和所述第二逻辑控制模块的电源端分别与所述第一电压源电连接，所述第六晶体管的漏极与所述高侧控制晶体管的源极电连接，所述第二逻辑控制模块的控制端与所述第六晶体管的栅极电连接，所述第二逻辑控制模块的浮地端与所述第一偏置模块的第一端电连接，第二控制模块包括第七晶体管和第三逻辑控制模块，所述第七晶体管的漏极与所述高侧控制晶体管的漏极电连接，所述第七晶体管的栅极与所述第三逻辑控制模块的控制端电连接，所述第三逻辑控制模块的电源端与第二电压源电连接，所述第三逻辑控制模块的接地端和所述第七晶体管的源极分别接地。