[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括电极以及环设于所述电极的绝缘层，所述绝缘层包括相互配合使用的第一绝缘子层和第二绝缘子层，所述绝缘层的厚度大于等于所述电极的厚度，其中，所述第一绝缘子层的折射率小于所述第二绝缘子层的折射率。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二绝缘子层沉积于所述第二绝缘子层上，且所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层的形状大小一致。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层依次环设于所述电极，且所述第一绝缘子层与所述电极之间的间距与所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层之间的间距相同。

4.根据权利要求1至3任一项所述LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘子层的折射率为1.4～1.5，所述第二绝缘子层的折射率为1.45～1.55。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括衬底，依次沉积在所述衬底上的N型GaN层、有源层、P型GaN层、透明导电层，钝化层以及焊盘，其中，所述电极包括P型电极和N型电极，所述P型电极设于所述P型GaN层上，所述N型电极设于所述N型GaN层上，所述焊盘和所述钝化层依次沉积于所述电极和所述绝缘层上。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述电极和所述焊盘的厚度均为1μm～3μm。

7.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述电极和所述焊盘均为多个金属层层叠的结构，其中，所述金属层为Cr、Al、Ti、Ni、Pt、Au、Cu中的一种或多种的组合。

8.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上开设有通孔，所述P型电极和所述P型电极对应的绝缘层通过所述通孔与所述P型GaN层接触。

9.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-8任一项所述的LED芯片，所述制备方法包括：

采用电子束蒸镀法制备电极；

在所述电极上通过PECVD设备沉积绝缘层，并通过光刻、腐蚀、刻蚀处理，得到环设于所述电极的绝缘层，其中，所述绝缘层的厚度大于等于所述电极的厚度。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的沉积温度为230℃～250℃。