[发明专利]一种腔体、移相器、移相器组件及天线

权利要求书

1.一种移相器用腔体，用于装配移相组件，所述移相组件包括移相电路及可相对所述移相电路移动的移相介质，其特征在于，所述腔体包括顶壁、与所述顶壁相对设置的底壁以及连接于所述顶壁和底壁之间的一对侧壁，所述顶壁、底壁以及侧壁围成一用于收容移相组件的收容腔，所述收容腔靠近所述顶壁和/或底壁处的宽度小于中间部分的宽度。

2.如权利要求1所述的移相器用腔体，其特征在于，所述腔体的侧壁靠近所述顶壁和/或底壁处设有至少一个台阶结构。

3.如权利要求1所述的移相器用腔体，其特征在于，靠近顶壁的收容腔和/或靠近底壁的收容腔呈梯形状。

4.如权利要求2所述的移相器用腔体，其特征在于，位于所述台阶结构一侧且靠近腔体端部的一对侧壁之间的距离为W1，位于所述台阶结构另一侧的一对侧壁之间的距离为W，其中，

W1＜W。

5.如权利要求4所述的移相器用腔体，其特征在于，所述W1与W的比值不小于三分之一。

6.如权利要求1所述的移相器用腔体，其特征在于，所述台阶结构的数量为2，并位于所述侧壁与顶壁相交处。

7.如权利要求1所述的移相器用腔体，其特征在于，所述腔体还包括自所述顶壁的一侧向外延伸形成的延伸壁，所述延伸壁、顶壁与反射板耦合。

8.一种移相器，其特征在于，包括

权利要求1～7任意一项所述的腔体；

移相组件，装配于所述收容腔中，包括移相电路及可相对所述移相电路移动的移相介质。

9.如权利要求8所述的移相器，其特征在于，所述移相介质靠近所述腔体的顶壁或者底壁设置。

10.如权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述顶壁与底壁之间的距离为L，所述移相介质与所述腔体的顶壁之间的最小距离不大于0.25L。

11.如权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述顶壁与底壁之间的距离为L，所述移相介质与所述腔体的底壁之间的最小距离不大于0.25L。

12.如权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述移相介质的有效体积V1与所述收容腔的体积V之比不大于1/3。

13.如权利要求12所述的移相器，其特征在于，所述移相介质的有效体积V1与所述收容腔的体积V之比不大于1/5。

14.一种移相器组件，其特征在于，包括第一移相器和第二移相器，所述第一移相器、第二移相器中的至少一个为权利要求8～13任意一项所述的移相器，其中，第一移相器的腔体侧壁与第二移相器的腔体侧壁相对设置，并且第一移相器的腔体设置有第一延伸壁，所述第二移相器设置有第二延伸壁，所述第一延伸壁与第二延伸壁之间设有凹槽，以使得第一延伸壁面向反射板的平面与第二延伸壁面向反射板的平面断开。

15.如权利要求14所述的移相器组件，其特征在于，所述第一延伸壁是自所述第一移相器的腔体顶壁向远离第二移相器的方向延伸形成；所述第二延伸壁是自所述第二移相器的腔体顶壁向远离第一移相器的方向延伸形成；所述第一延伸壁、第一移相器的腔体顶壁、第二延伸壁以及第二移相器的腔体顶壁共面。

16.如权利要求14所述的移相器组件，其特征在于，所述第一移相器的腔体顶壁至少部分凹陷，所述第二移相器的腔体顶壁至少部分凹陷，所述第一移相器的凹陷部分与第二移相器的凹陷部分形成所述凹槽。

17.如权利要求14所述的移相器组件，其特征在于，所述第一移相器的腔体与第二移相器的腔体共用一个侧壁。